Balita

Ang mga silikon na karbida (sic) na mga hurno ng paglago ng kristal ay may mahalagang papel sa paggawa ng mga high-performance na SIC wafers para sa mga susunod na henerasyon na mga aparato ng semiconductor. Gayunpaman, ang proseso ng paglaki ng mataas na kalidad na mga kristal ng SIC ay nagtatanghal ng mga mahahalagang hamon. Mula sa pamamahala ng matinding thermal gradients hanggang sa pagbabawas ng mga depekto sa kristal, tinitiyak ang pantay na paglaki, at pagkontrol sa mga gastos sa produksyon, ang bawat hakbang ay nangangailangan ng mga advanced na solusyon sa engineering. Susuriin ng artikulong ito ang mga teknikal na hamon ng mga hurno ng paglago ng kristal ng SIC mula sa maraming mga pananaw.

Ang Smart Cut ay isang advanced na proseso ng pagmamanupaktura ng semiconductor batay sa pagtatanim ng ion at pagtanggal ng wafer, partikular na idinisenyo para sa paggawa ng mga ultra-manipis at lubos na pantay na 3C-SIC (cubic silikon na karbida). Maaari itong ilipat ang mga ultra-manipis na mga kristal na materyales mula sa isang substrate patungo sa isa pa, sa gayon ay masira ang orihinal na mga limitasyon sa pisikal at pagbabago ng buong industriya ng substrate.

Sa paghahanda ng mataas na kalidad at mataas na ani na silikon na karbida, ang core ay nangangailangan ng tumpak na kontrol ng temperatura ng produksyon sa pamamagitan ng mahusay na mga thermal field material. Sa kasalukuyan, ang mga thermal field crucible kit na pangunahing ginagamit ay mga sangkap na istruktura na may mataas na kadalisayan, na ang mga pag-andar ay upang mapainit ang tinunaw na carbon powder at silikon na pulbos pati na rin upang mapanatili ang init.

Kapag nakita mo ang mga third-generation semiconductors, tiyak na magtataka ka kung ano ang una at pangalawang henerasyon. Ang "henerasyon" dito ay inuri batay sa mga materyales na ginamit sa pagmamanupaktura ng semiconductor.

Ang electrostatic chuck (ESC), na kilala rin bilang electrostatic chuck (ESC, e-chuck), ay isang kabit na gumagamit ng prinsipyo ng electrostatic adsorption upang hawakan at ayusin ang materyal na na-adsorbed. Ito ay angkop para sa mga vacuum at plasma na kapaligiran.

Ang mga carrier ng Sic Wafer, bilang mga pangunahing consumable sa ikatlong henerasyon na semiconductor chain chain, ang kanilang mga teknikal na katangian ay direktang nakakaapekto sa ani ng epitaxial growth at paggawa ng aparato. Sa pamamagitan ng surging demand para sa mga high-boltahe at mataas na temperatura na aparato sa mga industriya tulad ng 5G base station at mga bagong sasakyan ng enerhiya, ang pananaliksik at aplikasyon ng mga SIC wafer carriers ay nahaharap ngayon sa mga makabuluhang pagkakataon sa pag-unlad.