Web Menu

Paghahanap ng Produkto

Wika

Mga Serbisyo at Mapagkukunan

Sample Mapping

Batay sa pisikal na sample na ibinigay ng customer (kahit na ito ay pagod o bali na ginamit na bahagi), nag-aalok kami ng full-spectrum na serbisyo mula sa physical structure reverse engineering hanggang sa material-level na physicochemical characterization. Gamit ang mga kagamitan sa inspeksyon na may mataas na katumpakan ng klase ng semiconductor, tumpak naming binibilang ang mga kumplikadong 3D na geometric na istruktura, mga katangian ng coating/substrate na interface, at mga pisikal na parameter ng materyal, na tinitiyak na ang reverse-engineered na produkto ay nakakatugon o lumampas sa mga pamantayan ng OEM sa pisikal na akma, pagkakatugma ng proseso, at buhay ng serbisyo (Form-Fit-Function Replacement).

Ano ang Aming Sinusukat (Mga Teknikal na Deliverable):

  • Mga Dimensional at Geometric Tolerance:Gamit ang mga high-precision na Coordinate Measuring Machine (CMM) at optical 3D scanner, nagsasagawa kami ng full-size na point-cloud na pagmomodelo at muling pagtatayo ng mga kumplikadong istruktura ng cavity at mga mounting/locating hole, na nakakakuha ng katumpakan sa antas ng micron.
  • Micro-Morphology at Flatness sa Ibabaw:Gumagamit ng mga white-light interferometer at optical profilometer para suriin ang nanometer-scale surface roughness (Ra) at large-area flatness, nakakatugon sa mga kinakailangan sa paghawak ng wafer at chamber-sealing.
  • Mga Tampok ng Edge Micro:High-magnification mapping ng edge R-radii at chamfer micro-profiles para ma-optimize ang coating climb morphology at maiwasan ang stress concentration sa matutulis na sulok na maaaring magdulot ng mataas na temperatura na delamination.
  • Pagsusuri ng Graphite Substrate at Thermal Matching:Pagtatasa ng high-purity graphite substrate density, laki ng butil, at coefficient ng thermal expansion (CTE) upang matiyak ang pagtutugma ng thermal-stress sa pagitan ng substrate at CVD coating.
  • Coating Cross-Section at Interface Bonding Quality:Non-destructive XRF at metallographic cross-section SEM analysis para sukatin ang ganap na kapal, radial uniformity ng CVD coating, at interface penetration depth.
  • Phase Structure at Micro-Crystal Analysis:XRD pagsusuri ng kubiko phase (β-SiC) kadalisayan ng CVD SiC; qualitative assessment ng chemical stoichiometry at crystal structure na katangian ng CVD TaC.

Tunay na Kaso at Mga Benepisyo ng Customer (Karanasan):

Isang 12-pulgadang semiconductor etching component na customer:Itinigil ang supply ng OEM; isang pagod na gamit na bahagi lamang ang magagamit. Sa pamamagitan ng CMM reverse modeling + SEM coating cross-section analysis, nakumpleto namin ang substitute-part development at on-tool testing sa loob ng 2 buwan nang walang anumang orihinal na mga guhit, na nakamit ang 100% installation fit. Sa huli, ang ikot ng pagkuha ng bahagi ay binawasan mula sa orihinal na 6 na buwang lead time ng pag-import hanggang 2 buwan, ang gastos sa pagbili ng unit ay bumaba ng 42%, at ang modelong ito ay stably na na-supply nang higit sa 30 batch.

SiC coating cross-section SEM SiC coating cross-section SEM

Silicon Carbide (SiC) coating sa SEM coating cross-section

FAQ

1. T: Paano ako pipili sa pagitan ng CVD SiC coating at CVD TaC coating?

▼

A:Tingnan ang temperatura ng iyong proseso at intensity ng kaagnasan ng gas-phase. Kung ang temperatura ng proseso ay mas mababa sa 1000 °C at higit sa lahat ay kinabibilangan ng Cl₂/F₂-based etching o conventional epitaxy, piliinCVD SiCpara sa pinakamahusay na cost-performance; kung ang temperatura ng proseso ay lumampas sa 1200 °C at nagsasangkot ng mga malakas na kinakaing unti-unting kapaligiran (hal., SiC PVT single-crystal growth), inirerekomenda naminCVD TaC, na nag-aalok ng napakahusay na temperatura at paglaban sa kaagnasan. Maaari kaming magbigay ng libreng ulat ng rekomendasyon sa pagpili batay sa iyong mga partikular na parameter ng proseso.

2. Q: Sinusuportahan mo ba ang single-piece / small-batch prototyping? Ano ang lead time?

▼

A:Oo! Para sa mga prototype ng reverse-engineering,Ang MOQ ay 1 piraso. Para sa mga karaniwang simpleng bahagi, mula sa pagtanggap ng sample hanggang sa paghahatid ng nakamapang bahagi, ang pinakamabilis na lead time ay tinatayang10–15 araw ng trabaho; para sa mga bahagi na kinasasangkutan ng mga kumplikadong proseso ng patong ito ay tinatayang20–25 araw ng trabaho. Makipag-ugnayan sa aming mga inhinyero para sa pinabilis na pagsusuri.

3. T: Ano ang nagiging sanhi ng delamination ng patong ng CVD sa mga bahagi ng grapayt habang ginagamit? Maaari ba itong malutas?

▼

A:90% ng mga kaso ng delamination ay sanhi ng hindi pagkakatugma sa pagitan ng koepisyent ng thermal expansion (CTE) ng graphite substrate at ng coating, na humahantong sa pagbabalat ng pagkapagod sa ilalim ng mabilis na pag-init/paglamig. Ang aming solusyon: una nang tumpak na sukatin ang CTE curve ng iyong orihinal na bahagi, pagkatapos ay espesyal na isaayos ang density ng substrate at gradient ng temperatura ng deposition upang ang dalawang CTE ay lubos na magkatugma. Ang lakas ng bono ay maaaring mapabuti sa higit sa1.5 besesang karaniwang antas ng industriya.

4. T: Maaari ka bang magbigay ng CoA (Certificate of Analysis) para sa mga produkto? Anong data ang kasama nito?

▼

A:Bawat ipinadala na produkto ay may pamantayang anatatanging serial number + buong ulat ng CoA. Kasama sa ulat ang: kritikal na dimensyon ng data ng inspeksyon ng CMM, multi-point coating thickness distribution map, surface roughness (Ra) value, at material purity (GDMS) analysis conclusions.

Simulan ang Iyong Eksklusibong Serbisyo Ngayon

Makipag-ugnayan sa Amin Kaagad Humiling ng Quote

Telepono: +86-18069220752(Tina);+86-15988690905(Sera)

Email: anny@veteksemi.com

Sample MappingMga Materyales at DisenyoOptimization at Mass ProductionQC at Logistics
Mga Rekomendasyon sa Balita
Bakit dapat maging puso ang mataas na kadalisayan ng pulbos ng iyong susunod na sistema ng kapangyarihan ng EV
Bakit dapat maging puso ang mataas na kadalisayan ng pulbos ng iyong susunod na sistema ng kapangyarihan ng EVTingnan ang Higit Pa >>
Isang Kumpletong Paliwanag ng Proseso ng Paggawa ng Chip (2/2): Mula sa Wafer hanggang sa Pag -iimpake at Pagsubok
Isang Kumpletong Paliwanag ng Proseso ng Paggawa ng Chip (2/2): Mula sa Wafer hanggang sa Pag -iimpake at PagsubokTingnan ang Higit Pa >>
Bakit Ang Malaking Laki ng Resistance Heating SiC Crystal Growth Furnace ang Susi sa High-Quality Silicon Carbide Wafer Production
Bakit Ang Malaking Laki ng Resistance Heating SiC Crystal Growth Furnace ang Susi sa High-Quality Silicon Carbide Wafer ProductionTingnan ang Higit Pa >>
Maaari bang isotropic grapayt na makatiis ng matinding init sa mga hurno ng mataas na temperatura
Maaari bang isotropic grapayt na makatiis ng matinding init sa mga hurno ng mataas na temperaturaTingnan ang Higit Pa >>
Ay porous grapayt ang susi sa mas mabilis na pagsingil ng mga baterya
Ay porous grapayt ang susi sa mas mabilis na pagsingil ng mga bateryaTingnan ang Higit Pa >>
Bakit Mahalaga ang SiC Coated Graphite Susceptor para sa Semiconductor Epitaxy
Bakit Mahalaga ang SiC Coated Graphite Susceptor para sa Semiconductor EpitaxyTingnan ang Higit Pa >>
X
Gumagamit kami ng cookies para mag-alok sa iyo ng mas magandang karanasan sa pagba-browse, pag-aralan ang trapiko sa site at i-personalize ang content. Sa paggamit ng site na ito, sumasang-ayon ka sa aming paggamit ng cookies. Patakaran sa Privacy
TanggihanTanggapin