Ang mga natatanging carbide coating ng VeTek Semiconductor ay nagbibigay ng higit na mahusay na proteksyon para sa mga bahagi ng graphite sa Proseso ng SiC Epitaxy para sa pagpoproseso ng mga hinihingi na semiconductor at composite na mga semiconductor na materyales. Ang resulta ay pinahabang buhay ng bahagi ng grapayt, pagpapanatili ng reaksyong stoichiometry, pagsugpo sa paglipat ng karumihan sa epitaxy at mga aplikasyon ng paglago ng kristal, na nagreresulta sa pagtaas ng ani at kalidad.
Pinoprotektahan ng aming mga tantalum carbide (TaC) coatings ang mga kritikal na bahagi ng furnace at reactor sa mataas na temperatura (hanggang 2200°C) mula sa mainit na ammonia, hydrogen, silicon vapors at molten metals. Ang VeTek Semiconductor ay may malawak na hanay ng mga kakayahan sa pagpoproseso at pagsukat ng grapayt upang matugunan ang iyong mga customized na pangangailangan, upang makapag-alok kami ng bayad na bayad na patong o buong serbisyo, kasama ang aming pangkat ng mga dalubhasang inhinyero na handang magdisenyo ng tamang solusyon para sa iyo at sa iyong partikular na aplikasyon .
Compound semiconductor crystals
Ang VeTek Semiconductor ay maaaring magbigay ng mga espesyal na TaC coating para sa iba't ibang bahagi at carrier. Sa pamamagitan ng nangunguna sa industriya ng proseso ng coating ng VeTek Semiconductor, ang TaC coating ay maaaring makakuha ng mataas na kadalisayan, mataas na temperatura na katatagan at mataas na chemical resistance, sa gayon ay nagpapabuti sa kalidad ng produkto ng mga kristal na TaC/GaN) at EPl layer, at nagpapahaba ng buhay ng mga kritikal na bahagi ng reactor.
Mga thermal insulator
SiC, GaN at AlN crystal growth component kabilang ang mga crucibles, seed holder, deflectors at filters. Mga Industrial assemblies kabilang ang mga resistive heating elements, nozzle, shielding ring at brazing fixture, GaN at SiC epitaxial CVD reactor component kabilang ang mga wafer carrier, satellite tray, shower head, takip at pedestal, mga bahagi ng MOCVD.
Layunin:
● LED(Light Emitting Diode) Wafer Carrier
● ALD(Semiconductor) Receiver
● EPI Receptor (SiC Epitaxy Process)
Paghahambing ng SiC Coating at TaC Coating:
|
|
SiC
|
TaC
|
|
Pangunahing Tampok
|
Napakataas na kadalisayan, Napakahusay na paglaban sa Plasma
|
Napakahusay na katatagan ng mataas na temperatura (pagsunod sa proseso ng mataas na temperatura)
|
|
Kadalisayan
|
>99.9999%
|
>99.9999%
|
|
Densidad (g/cm3)
|
3.21
|
15
|
|
Katigasan (kg/mm2)
|
2900-3300
|
6.7-7.2
|
|
Resistivity [Ωcm]
|
0.1-15,000
|
<1
|
|
Thermal conductivity (W/m-K)
|
200-360
|
22
|
|
Coefficient ng thermal expansion(10-6/℃)
|
4.5-5
|
6.3
|
|
Aplikasyon
|
Semiconductor Equipment Ceramic jig(Focus Ring, Shower Head, Dummy Wafer)
|
SiC Single crystal growth, Epi, UV LED Equipment parts
|
