QR Code
Tungkol sa Amin
Mga produkto
Makipag-ugnayan sa amin

Telepono

Fax
+86-579-87223657

Email

Address
Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi County, Jinhua City, Zhejiang Province, China
Ang pagpili ng katugmang substrate at kumbinasyon ng coating ay ang susi sa pagpigil sa napaaga na pagkasira ng bahagi, pagbabawas ng kontaminasyon ng particle, at pag-maximize ng ani ng wafer. Nagbibigay kami ng pinasadyang materyal at mga solusyon sa disenyo ng istruktura sa paligid ng partikular na window ng proseso ng customer (temperatura ng pagpapatakbo, reaktibong gas chemistry, mga rate ng ramp).
| Patong | Mga Karaniwang Direksyon sa Application | Mga Pangunahing Kalamangan |
|---|---|---|
| CVD SiC | Si/SiC epitaxy (Epi), MOCVD, bahagyang pag-ukit ng plasma | Mataas na kadalisayan, magandang thermal stability, chemical corrosion resistance, mataas na pangkalahatang cost-performance |
| CVD TaC | High-temperature SiC single-crystal growth (PVT), matinding high-temperature load-bearing components | Mas mataas na rating ng temperatura (>1600 °C), malakas na paglaban sa kaagnasan, mahusay na pagtutol sa oksihenasyon |
Isang nangungunang tagagawa ng SiC epitaxy (Epi):Gumamit ang orihinal na bahagi ng hindi tugmang CVD TaC coating, na nagreresulta sa labis na interfacial stress at madalas na micro-crack sa mataas na temperatura. Muli naming pinatakbo ang mga thermodynamic simulation at lumipat sa aCTE-matched specialty high-purity graphite substrate + buffer layer + CVD SiC coatingsolusyon. Resulta: ang average na bahagi ng buhay ay tumaas mula 200 oras hanggang 850 oras; taunang dalas ng pagpapalit bawat tool ay bumaba mula 40 hanggang 9 na beses; Ang komprehensibong kagamitan sa pagtitipid sa gastos ng O&M ay lumampas sa RMB 650,000 bawat taon.
Ulat ng pagsusuri sa kadalisayan ng GDMS para sa mga coating ng TaC at SiC
A:Tingnan ang temperatura ng iyong proseso at intensity ng kaagnasan ng gas-phase. Kung ang temperatura ng proseso ay mas mababa sa 1000 °C at higit sa lahat ay kinabibilangan ng Cl₂/F₂-based etching o conventional epitaxy, piliinCVD SiCpara sa pinakamahusay na cost-performance; kung ang temperatura ng proseso ay lumampas sa 1200 °C at nagsasangkot ng mga malakas na kinakaing unti-unting kapaligiran (hal., SiC PVT single-crystal growth), inirerekomenda naminCVD TaC, na nag-aalok ng napakahusay na temperatura at paglaban sa kaagnasan. Maaari kaming magbigay ng libreng ulat ng rekomendasyon sa pagpili batay sa iyong mga partikular na parameter ng proseso.
A:Oo! Para sa mga prototype ng reverse-engineering,Ang MOQ ay 1 piraso. Para sa mga karaniwang simpleng bahagi, mula sa pagtanggap ng sample hanggang sa paghahatid ng nakamapang bahagi, ang pinakamabilis na lead time ay tinatayang10–15 araw ng trabaho; para sa mga bahagi na kinasasangkutan ng mga kumplikadong proseso ng patong ito ay tinatayang20–25 araw ng trabaho. Makipag-ugnayan sa aming mga inhinyero para sa pinabilis na pagsusuri.
A:90% ng mga kaso ng delamination ay sanhi ng hindi pagkakatugma sa pagitan ng koepisyent ng thermal expansion (CTE) ng graphite substrate at ng coating, na humahantong sa pagbabalat ng pagkapagod sa ilalim ng mabilis na pag-init/paglamig. Ang aming solusyon: una nang tumpak na sukatin ang CTE curve ng iyong orihinal na bahagi, pagkatapos ay espesyal na isaayos ang density ng substrate at gradient ng temperatura ng deposition upang ang dalawang CTE ay lubos na magkatugma. Ang lakas ng bono ay maaaring mapabuti sa higit sa1.5 besesang karaniwang antas ng industriya.
A:Bawat ipinadala na produkto ay may pamantayang anatatanging serial number + buong ulat ng CoA. Kasama sa ulat ang: kritikal na dimensyon ng data ng inspeksyon ng CMM, multi-point coating thickness distribution map, surface roughness (Ra) value, at material purity (GDMS) analysis conclusions.
Telepono: +86-18069220752(Tina);+86-15988690905(Sera)
Email: anny@veteksemi.com