Porous Graphite

Ang mga producer ng substrate ng SiC ay karaniwang gumagamit ng disenyong crucible na may porous na graphite cylinder para sa proseso ng hot field. Pinapataas ng disenyong ito ang lugar ng pagsingaw at dami ng singil. Isang bagong proseso ang binuo upang tugunan ang mga depekto sa kristal, patatagin ang mass transfer, at pahusayin ang kalidad ng kristal ng SiC. Isinasama nito ang isang walang binhing paraan ng pag-aayos ng tray na kristal para sa pagpapalawak ng thermal at pag-alis ng stress. Gayunpaman, ang limitadong supply sa merkado ng crucible graphite at porous graphite ay nagdudulot ng mga hamon sa kalidad at ani ng SiC single crystals.

Mga Pangunahing Tampok ng VeTek Semiconductor Porous Graphite:

1. Mataas na temperatura na pagpapaubaya sa kapaligiran - Ang produkto ay maaaring makatiis sa kapaligiran na 2500 degrees Celsius, na nagpapakita ng mahusay na paglaban sa init.

2.Mahigpit na kontrol sa porosity - Pinapanatili ng VeTek Semiconductor ang mahigpit na kontrol sa porosity, na tinitiyak ang pare-parehong pagganap.

3.Ultra-high purity - Ang porous graphite material na ginamit ay nakakamit ng mataas na antas ng purity sa pamamagitan ng mahigpit na proseso ng purification.

4. Napakahusay na kakayahan sa pagbubuklod ng particle sa ibabaw - Ang VeTek Semiconductor ay may mahusay na kakayahan sa pagbubuklod ng particle sa ibabaw at paglaban sa pagdirikit ng pulbos.

5.Gas transport, diffusion, at pagkakapareho - Ang buhaghag na istraktura ng graphite ay nagpapadali sa mahusay na transportasyon ng gas at diffusion, na nagreresulta sa pinahusay na pagkakapareho ng mga gas at particle.

6. Kontrol sa kalidad at katatagan - Binibigyang-diin ng VeTek Semiconductor ang mataas na kadalisayan, mababang nilalaman ng karumihan, at katatagan ng kemikal upang matiyak ang kalidad sa paglaki ng kristal.

7. Pagkontrol at pagkakapareho ng temperatura - Ang thermal conductivity ng porous graphite ay nagbibigay-daan sa pare-parehong pamamahagi ng temperatura, binabawasan ang stress at mga depekto sa panahon ng paglaki.

8. Pinahusay na pagsasabog ng solute at rate ng paglago - Ang buhaghag na istraktura ay nagtataguyod ng pantay na pamamahagi ng solute, na nagpapahusay sa rate ng paglago at pagkakapareho ng mga kristal.