Porous grapayt

Ang mga prodyuser ng SIC substrate ay karaniwang gumagamit ng isang disenyo na may crucible na may isang porous grapayt na silindro para sa proseso ng mainit na larangan. Ang disenyo na ito ay nagdaragdag ng lugar ng pagsingaw at dami ng singil. Ang isang bagong proseso ay binuo upang matugunan ang mga depekto ng kristal, magpapatatag ng paglipat ng masa, at mapahusay ang kalidad ng kristal ng SIC. Isinasama nito ang isang walang binhi na paraan ng pag -aayos ng tray ng kristal para sa pagpapalawak ng thermal at kaluwagan ng stress. Gayunpaman, ang limitadong supply ng merkado ng crucible grapayt at porous grapayt ay nagdudulot ng mga hamon sa kalidad at ani ng SIC solong kristal.

Mga pangunahing tampok ng Vetek Semiconductor Porous Graphite:

1.High temperatura sa pagpapahintulot sa kapaligiran - Ang produkto ay maaaring makatiis sa kapaligiran ng 2500 degree Celsius, na nagpapakita ng mahusay na paglaban sa init.

2. Control ng Porosity Control - Ang Vetek Semiconductor ay nagpapanatili ng mahigpit na kontrol ng porosity, tinitiyak ang pare -pareho na pagganap.

3.Ultra -mataas na kadalisayan - Ang porous graphite material na ginamit ay nakakamit ng isang mataas na antas ng kadalisayan sa pamamagitan ng mahigpit na mga proseso ng paglilinis.

4.EXCELLENT SURFACE Particle Binding Capability - Ang Vetek semiconductor ay may mahusay na kakayahan na nagbubuklod ng butil na butil at paglaban sa pagdikit ng pulbos.

5.GAS transportasyon, pagsasabog, at pagkakapareho - Ang porous na istraktura ng grapayt ay nagpapadali ng mahusay na transportasyon ng gas at pagsasabog, na nagreresulta sa pinahusay na pagkakapareho ng mga gas at mga partikulo.

6.Quality Control and Stability - Binibigyang diin ng Vetek Semiconductor ang mataas na kadalisayan, mababang nilalaman ng karumihan, at katatagan ng kemikal upang matiyak ang kalidad sa paglaki ng kristal.

7.Temperature control at pagkakapareho - Ang thermal conductivity ng porous grapayt ay nagbibigay -daan sa pantay na pamamahagi ng temperatura, pagbabawas ng stress at mga depekto sa panahon ng paglago.

8.ENHANCED SOLUTE pagsasabog at rate ng paglago - Ang porous na istraktura ay nagtataguyod kahit na solute pamamahagi, pagpapahusay ng rate ng paglago at pagkakapareho ng mga kristal.