Proseso ng RTA/RTP

Ang VeTek Semiconductor ay nagbibigay ng RTA/RTP Process wafer carrier, na gawa sa high purity graphite at SiC coating na maykarumihan sa ibaba 5ppm.

Ang Rapid annealing furnace ay isang uri ng kagamitan para sa materyal na paggamot sa pagsusubo atProseso ng RTA/RTP, sa pamamagitan ng pagkontrol sa proseso ng pag-init at paglamig ng materyal, maaari nitong mapabuti ang mala-kristal na istraktura ng materyal, bawasan ang panloob na stress, at mapabuti ang mekanikal at pisikal na mga katangian ng materyal. Ang isa sa mga pangunahing bahagi sa silid ng mabilis na pagsusubo ng hurno ay ang wafer carrier/tatanggap ng ostiyapara sa paglo-load ng mga ostiya. Bilang isang pampainit ng wafer sa silid ng proseso, itoplato ng carriergumaganap ng isang mahalagang papel sa mabilis na pag-init at temperatura equalization paggamot.

Ang silicon carbide, aluminum nitride at graphite silicon carbide ay magagamit na mga materyales para sa fast annealing furnace, at ang pangunahing pagpipilian sa merkado ay grapayt atsilikon carbide coating bilang mga materyales. 

Ang mga sumusunod ayang mga tampok at mahusay na pagganapng VeTek Semiconductor SiC coated RTA RTP process wafer carrier:

-Katatagan ng Mataas na Temperatura: Ang SiC coating ay nagpapakita ng natitirang mataas na temperatura na katatagan, na tinitiyak ang integridad ng istraktura at mekanikal na lakas kahit na sa matinding temperatura. Ang kakayahang ito ay ginagawa itong lubos na angkop para sa hinihingi na mga proseso ng paggamot sa init.

-Napakahusay na Thermal Conductivity: Ang SiC coating layer ay nagtataglay ng pambihirang thermal conductivity, na nagpapagana ng mabilis at pare-parehong pamamahagi ng init. Isinasalin ito sa mas mabilis na pagpoproseso ng init, makabuluhang binabawasan ang oras ng pag-init at pagpapahusay sa pangkalahatang produktibidad. Sa pamamagitan ng pagpapabuti ng kahusayan sa paglipat ng init, nag-aambag ito sa mas mataas na kahusayan sa produksyon at higit na mataas na kalidad ng produkto.

-Kawalang-kilos ng kimikal: Ang likas na chemical inertness ng silicon carbide ay nagbibigay ng mahusay na pagtutol sa kaagnasan mula sa iba't ibang mga kemikal. Ang aming carbon-coated silicon carbide wafer carrier ay maaaring gumana nang mapagkakatiwalaan sa magkakaibang mga kemikal na kapaligiran nang hindi nakontamina o nasisira ang mga wafer.

-Kapantayan ng Ibabaw: Ang CVD silicon carbide layer ay nagsisiguro ng lubos na patag at makinis na ibabaw, na ginagarantiyahan ang matatag na pakikipag-ugnayan sa mga wafer sa panahon ng thermal processing. Inaalis nito ang pagpapakilala ng karagdagang mga depekto sa ibabaw, na tinitiyak ang pinakamainam na resulta ng pagproseso.

-Magaan at Mataas na Lakas: Ang aming SiC coated RTP wafer carrier ay magaan ngunit nagtataglay ng kahanga-hangang lakas. Ang katangiang ito ay nagpapadali sa maginhawa at maaasahang paglo-load at pagbabawas ng mga wafer.

Paano gamitin ang RTA RTP Process wafer carrier:

VeTek Semiconductor's SiC coating wafer receiver at receiver cover

RTA RTP receiver RTA RTP wafer carrier RTP tray (para sa RTA rapid heating treatment) RTP tray (para sa RTA rapid heating treatment) RTP Receiver RTP Wafer Support Tray