Silicon Carbide Coating

Ang CVD sic coated grapayt shower head mula sa Veteksemicon ay isang sangkap na may mataas na pagganap na partikular na idinisenyo para sa mga proseso ng semiconductor chemical vapor deposition (CVD). Ginawa mula sa high-kadalisayan grapiko at protektado ng isang kemikal na pag-aalis ng singaw (CVD) silikon carbide (SIC) coating, ang shower head na ito ay naghahatid ng natitirang tibay, thermal stability, at paglaban sa mga kinakailangang proseso ng gas. Inaasahan ang iyong karagdagang konsultasyon.

Ang Silicon Carbide Coating Wafer Holder ni Veteksemicon ay inhinyero para sa katumpakan at pagganap sa mga advanced na proseso ng semiconductor tulad ng MOCVD, LPCVD, at high-temperatura na pagsusubo. Sa pamamagitan ng isang pantay na patong ng CVD sic, tinitiyak ng may-ari ng wafer na ito ang pambihirang thermal conductivity, kemikal na pagkawalang-galaw, at lakas ng mekanikal-mahalaga para sa walang kontaminasyon, mataas na ani na pagproseso ng wafer.

Ang Veteksemicon High-Purity Sic Edge Rings, na espesyal na idinisenyo para sa kagamitan sa semiconductor etching, ay nagtatampok ng natitirang paglaban sa kaagnasan at katatagan ng thermal, makabuluhang pagpapahusay ng ani ng wafer

Bilang isang nangungunang tagagawa ng Tsino at tagapagtustos ng mga produktong patong ng karbida ng silikon, ang Veteksemicon's SIC coated wafer carrier para sa pag -etching ay gumaganap ng isang hindi mapapalitan na pangunahing papel sa proseso ng etching na may mahusay na mataas na katatagan ng temperatura, natitirang paglaban ng kaagnasan at mataas na thermal conductivity.

Ang Veteksemicon's CVD SIC Coated Wafer Susceptor ay isang solusyon sa paggupit para sa mga proseso ng epitaxial na semiconductor, na nag-aalok ng sertipikadong ultra-high kadalisayan (≤100ppb, sertipikadong ICP-E10) at pambihirang thermal/kemikal na katatagan para sa kontaminasyon-resistant na paglaki ng GaN, SIC, at Silicon-based EPI-Layers. Inhinyero na may katumpakan na teknolohiya ng CVD, sinusuportahan nito ang 6 "/8"/12 "na mga wafer, tinitiyak ang kaunting thermal stress, at huminto sa matinding temperatura hanggang sa 1600 ° C.

Ang aming SIC coated planetary na Susceptor ay isang pangunahing sangkap sa proseso ng mataas na temperatura ng pagmamanupaktura ng semiconductor. Pinagsasama ng disenyo nito ang grapayt na substrate na may patong ng silikon na karbida upang makamit ang komprehensibong pag -optimize ng pagganap ng pamamahala ng thermal, katatagan ng kemikal at lakas ng makina.