Pananaliksik sa teknolohiya ng SIC Wafer Carrier

Sic Wafer Carriers, bilang mga pangunahing consumable sa third-generation semiconductor chain chain, ang kanilang mga teknikal na katangian ay direktang nakakaapekto sa ani ng epitaxial growth at paggawa ng aparato. Sa pamamagitan ng surging demand para sa mga high-boltahe at mataas na temperatura na aparato sa mga industriya tulad ng 5G base station at mga bagong sasakyan ng enerhiya, ang pananaliksik at aplikasyon ng mga SIC wafer carriers ay nahaharap ngayon sa mga makabuluhang pagkakataon sa pag-unlad.

Sa larangan ng pagmamanupaktura ng semiconductor, ang mga carrier ng carbide wafer ay pangunahing nagsasagawa ng mahalagang pag -andar ng pagdala at pagpapadala ng mga wafer sa mga epitaxial na kagamitan. Kung ikukumpara sa tradisyonal na mga carrier ng quartz, ang mga carrier ng SIC ay nagpapakita ng tatlong pangunahing pakinabang: una, ang kanilang koepisyent ng thermal expansion (4.0 × 10^-6/℃) ay lubos na naitugma sa mga wafer ng SIC (4.2 × 10^-6/℃), na epektibong binabawasan ang thermal stress sa mga proseso ng mataas na temperatura; Pangalawa, ang kadalisayan ng mataas na kadalisayan na mga carrier ng SIC na inihanda ng pamamaraan ng pag-aalis ng singaw ng kemikal (CVD) ay maaaring umabot sa 99.9995%, pag-iwas sa karaniwang problema sa kontaminasyon ng sodium ion ng quartz carriers. Bukod dito, ang natutunaw na punto ng materyal na SIC sa 2830 ℃ ay nagbibigay-daan upang umangkop sa pangmatagalang kapaligiran sa pagtatrabaho sa itaas ng 1600 ℃ sa kagamitan ng MOCVD.

Sa kasalukuyan, ang mga pangunahing produkto ay nagpatibay ng isang 6-pulgada na detalye, na may isang kapal na kinokontrol sa loob ng saklaw ng 20-30mm at isang kinakailangan sa pagkamagaspang sa ibabaw na mas mababa sa 0.5μm. Upang mapahusay ang pagkakapareho ng epitaxial, ang mga nangungunang tagagawa ay nagtatayo ng mga tiyak na topological na istruktura sa ibabaw ng carrier sa pamamagitan ng CNC machining. Halimbawa, ang disenyo ng hugis ng honeycomb na binuo ng semiceri ay maaaring makontrol ang kapal ng pagbabagu-bago ng epitaxial layer sa loob ng ± 3%. Sa mga tuntunin ng teknolohiya ng patong, ang TAC/TASI2 composite coating ay maaaring mapalawak ang buhay ng serbisyo ng carrier sa higit sa 800 beses, na kung saan ay tatlong beses na mas mahaba kaysa sa hindi nabuong produkto.

Sa antas ng pang -industriya na aplikasyon, ang mga SIC carriers ay unti -unting napatunayan ang buong proseso ng pagmamanupaktura ng mga aparato ng kuryente na karbida. Sa paggawa ng mga diode ng SBD, ang paggamit ng mga SIC carriers ay maaaring mabawasan ang density ng epitaxial defect na mas mababa sa 0.5cm ². Para sa mga aparato ng MOSFET, ang kanilang mahusay na pagkakapareho ng temperatura ay tumutulong upang madagdagan ang kadaliang mapakilos ng channel ng 15% hanggang 20%. Ayon sa mga istatistika ng industriya, ang laki ng pandaigdigang laki ng merkado ng SIC carrier ay lumampas sa 230 milyong dolyar ng US noong 2024, na may isang tambalang taunang rate ng paglago na pinananatili sa paligid ng 28%.

Gayunpaman, umiiral pa rin ang mga teknikal na bottlenecks. Ang kontrol ng warpage ng mga malalaking laki ng mga carrier ay nananatiling isang hamon-ang flat tolerance ng 8-inch carriers ay kailangang mai-compress sa loob ng 50μm. Sa kasalukuyan, ang Semicera ay isa sa ilang mga domestic company na maaaring makontrol ang warping. Ang mga domestic na negosyo tulad ng Tianke Heda ay nakamit ang mass production ng 6-inch carriers. Kasalukuyang tinutulungan ni Semicera si Tianke Heda sa pagpapasadya ng mga SIC carriers para sa kanila. Sa kasalukuyan, lumapit ito sa mga internasyonal na higante sa mga tuntunin ng mga proseso ng patong at kontrol ng depekto. Sa hinaharap, kasama ang kapanahunan ng teknolohiya ng heteroepitaxy, ang mga nakatuon na mga tagadala para sa mga application ng Gan-on-sisic ay magiging isang bagong direksyon ng pananaliksik at pag-unlad.