TaC Coated Graphite Wafer Cover Ring

Mga Pangunahing Kalamangan sa Teknikal

• Pambihirang Paglaban sa Kemikal: Ininhinyero upang makatiis ng matitinding etching gas (H₂, NH₃, HCl) sa mga temperatura sa pagitan ng 1200°C at 2000°C.

• Pagtutugma ng Thermal Expansion: Tinitiyak ng aming proprietary CVD na proseso na ang TaC coating ay may na-optimize na CTE (Coefficient of Thermal Expansion) na tumutugma sa graphite substrate, na pumipigil sa pagbabalat o pag-crack sa panahon ng mabilis na thermal cycling.

• Superior na Kontrol ng Particle: Sa pamamagitan ng ganap na pag-sealing ng porous graphite, ang TaC layer ay nag-aalis ng particle shedding, direktang nagpapataas ng iyong wafer yield at nagpapababa ng reactor downtime.

• Pinahabang Buhay ng Serbisyo: Lubhang lumalaban sa pagsusuot na lumalaban sa paulit-ulit na mga siklo ng paglilinis, na nag-aalok ng makabuluhang mas mababang Cost of Ownership (CoO) kumpara sa mga alternatibong hindi pinahiran o pinahiran ng SiC.

Tantalum carbide (TaC) coating sa isang microscopic cross-section

Parameter ng produkto ng TaC Coated Graphite Wafer Cover Ring

Bakit Pumili ng Aming TaC Cover Rings?

Naiintindihan namin na sa paggawa ng semiconductor, ang pagiging maaasahan ay katumbas ng kakayahang kumita. Ang aming TaC Coated Graphite Wafer Cover Rings ay batch-tested para sa density at kadalisayan ng coating. Kung ikaw ay lilipat mula sa 6-inch hanggang 8-inch na wafer production o nag-o-optimize ng isang mataas na temperatura na proseso ng MOCVD, ang aming mga singsing ay nagbibigay ng thermal at chemical shielding na kinakailangan para sa world-class na epitaxy.