Vertical furnace sic coated singsing

Sa mga patayong hurno, ang paggamit ng mga singsing na pinahiran ng SiC ay isang pangkaraniwang solusyon, pangunahing ginagamit sa mga proseso ng paggamot sa mataas na temperatura ng init ngSemiconductor wafers. Ang Vertical furnace sic coated singsing ay mataas na pagganap, mataas na temperatura na lumalaban na mga sangkap na ginamit upang suportahan o protektahan ang mga wafer upang matiyak ang katatagan at pagiging maaasahan ng proseso.

Ang mga pag -andar ng vertical furnace sic coated singsing

● Mga pag -andar

Pagsuporta sa papel. Ginamit upang suportahan ang mga wafer upang matiyak ang kanilang katatagan at tumpak na posisyon sa mga hurno na may mataas na temperatura.

●  Proteksyon ng kaagnasan

Maiwasan ang mga kinakaing unti -unting gas o kemikal mula sa pag -corroding ng base material.

●  Bawasan ang polusyon

Ang mataas na kadalisayan na patong ng SIC ay maaaring epektibong maiwasan ang pagpapadanak ng butil at kontaminasyon ng kawalang-kilos upang matiyak ang kalinisan ng proseso.

●  Mataas na paglaban sa temperatura

Panatilihin ang mahusay na mekanikal na katangian at dimensional na katatagan sa mataas na temperatura na kapaligiran (karaniwan ay higit sa 1000°C).

Ang mga tampok ng vertical furnace sic coated singsing

●  Mataas na tigas at lakas

Ang mga materyales ng SiC ay may mahusay na mekanikal na lakas at maaaring makatiis ng mataas na temperatura ng stress sa pugon.

●  Magandang thermal stability

Ang mataas na thermal conductivity ng SIC at mababang koepisyent ng pagpapalawak ng thermal ay makakatulong na mabawasan ang thermal stress.

●  Malakas na katatagan ng kemikal

Maaaring labanan ng mga SiC coating ang kaagnasan sa mga kapaligirang nag-oxidize, acidic o alkaline.

●  Mababang kontaminasyon ng butil

Ang makinis na ibabaw ay binabawasan ang posibilidad ng henerasyon ng butil, na partikular na angkop para sa ultra-malinis na kapaligiran ng paggawa ng semiconductor.

Ginamit para sa pagsasabog, oksihenasyon, pagsusubo at iba pang mga proseso sa mga vertical na hurno upang suportahan ang mga wafer ng silikon at maiwasan ang kontaminasyon ng butil sa panahon ng paggamot sa init.

Mga materyales at proseso sa paggawa

●  Substrate: Gawa sa de-kalidad na SGL graphite, garantisado ang kalidad.

● Coating: Ang patong ng carbide ng silikon ay inilalapat sa ibabaw ng grapayt sa pamamagitan ng pag -aalis ng singaw ng kemikal (CVD).

● Ang kapal ng patong ay karaniwang nasa pagitan ng 50 ~ 500μm, na nababagay ayon sa mga kinakailangan sa paggamit.

●  Ang chemical vapor deposition na SiC coating ay may mas mataas na purity at density, at mas tibay.

Piliin ang naaangkopSic coatingsingsing ayon sa diameter ng silikon na wafer sa hurno at mga pagtutukoy ng carrier. Maaari naming ipasadya ito para sa iyo. Ang mataas na kadalisayan, ang siksik na patong ay mas matibay at hindi gaanong polling.Regularly palitan alinsunod sa dalas ng paggamit at proseso ng mga kinakailangan upang maiwasan ang kontaminasyon o suporta sa pagkabigo dahil sa pag -iipon ng patong.

Bilang isang propesyonal na Vertical Furnace SiC coated ring supplier at manufacturer sa China, ang VeTek Semiconductor ay matagal nang nakatuon sa pagbibigay ng advanced na Vertical Furnace na teknolohiya at mga solusyon sa produkto para sa industriya ng semiconductor. Taos-puso kaming umaasa na maging iyong pangmatagalang kasosyo sa China.

CVD sic film crystal istraktura

Mga pangunahing pisikal na katangian ng CVD Sic coating

Ito semiconductorVertical Furnace sic Coated Ring Shops: