Ang CVD TAC ay pinahiran ng three-petal gabay na singsing

Ang Silicon Carbide Single Crystal Substrate Material ay isang uri ng materyal na kristal, na kabilang sa malawak na materyal na bandgap semiconductor. Mayroon itong mga pakinabang ng mataas na boltahe na pagtutol, mataas na temperatura ng paglaban, mataas na dalas, mababang pagkawala, atbp Ito ay isang pangunahing materyal para sa paghahanda ng mga aparato na may mataas na kapangyarihan na elektronikong aparato at mga aparato ng dalas ng microwave radio. Sa kasalukuyan, ang mga pangunahing pamamaraan para sa lumalagong mga kristal ng SIC ay ang pisikal na transportasyon ng singaw (pamamaraan ng PVT), mataas na temperatura ng pag -aalis ng singaw ng kemikal (pamamaraan ng HTCVD), pamamaraan ng likidong phase, atbp.

Ang pamamaraan ng Physical Vapor Transport (PVT) ay isang maayos - itinatag na pamamaraan na lubos na angkop para sa malaking -scale na pang -industriya na produksiyon. Sa prosesong ito, ang isang sic seed crystal ay nakaposisyon sa tuktok ng crucible, habang ang sic powder, na nagsisilbing hilaw na materyal, ay nakalagay sa ilalim ng krus. Sa ilalim ng mga kondisyon ng mataas na temperatura at mababang presyon sa loob ng isang saradong kapaligiran, ang sic powder sublimates. Hinimok ng temperatura gradient at pagkakaiba ng konsentrasyon, ang sublimated species ay lumipat pataas patungo sa rehiyon malapit sa kristal na binhi. Kapag naabot ang isang supersaturated na estado, naganap ang recrystallization, na nagpapahintulot para sa tumpak na kontrol sa laki at tiyak na uri ng kristal ng lumaki na mga kristal na SIC.

Ang CVD TAC Coated Three - Petal Guide Ring ay naghahain ng maraming mga mahahalagang pag -andar. Pangunahin, pinapahusay nito ang mga mekanika ng likido sa pamamagitan ng paggabay sa daloy ng gas, tinitiyak na ang lugar ng paglago ng kristal ay nakalantad sa isang pantay na kapaligiran. Bilang karagdagan, epektibo itong nag -aalis ng init sa panahon ng proseso ng paglago ng kristal ng SIC. Sa pamamagitan ng pagpapanatili ng naaangkop na gradient ng temperatura, na -optimize nito ang mga kondisyon ng paglago para sa mga kristal ng SIC at pinapagaan ang panganib ng mga depekto ng kristal na dulot ng hindi pantay na pamamahagi ng temperatura.