Silicon Carbide Coating

Bilang isang propesyonal na SiC coating wafer carrier manufacturer at supplier, ang Vetek Semiconductor's SiC coating wafer carriers ay pangunahing ginagamit upang mapabuti ang growth uniformity ng epitaxial layer, na tinitiyak ang kanilang katatagan at integridad sa mataas na temperatura at kinakaing unti-unti na mga kapaligiran.

Ang Vetek Semiconductor ay isang tagagawa ng China Professional ALD Susceptor. Ang Vetek ay magkasanib na binuo at gumawa ng SIC-coated ALD planetary base na may mga tagagawa ng ALD system upang matugunan ang mataas na mga kinakailangan ng proseso ng ALD. Maligayang pagdating sa iyong konsultasyon.

Ang Vetek Semiconductor's CVD sic coated kisame ay may mahusay na mga katangian tulad ng mataas na temperatura ng paglaban, paglaban ng kaagnasan, mataas na katigasan, at mababang koepisyent ng pagpapalawak ng thermal, na ginagawa itong isang mainam na pagpili ng materyal sa pagmamanupaktura ng semiconductor. Bilang isang Tsina na nangungunang CVD sic coated kisame tagagawa at tagapagtustos, inaasahan ni Vetek Semiconductor ang iyong konsultasyon.

Ang Vetek Semiconductor ay isang propesyonal na tagagawa ng MOCVD LED EPI Susceptor sa China. Ang aming MOCVD LED EPI na Susceptor ay idinisenyo para sa hinihingi ang mga aplikasyon ng kagamitan sa epitaxial. Ang mataas na thermal conductivity, katatagan ng kemikal at tibay ay pangunahing mga kadahilanan upang matiyak ang isang matatag na proseso ng paglago ng epitaxial at paggawa ng semiconductor film.

Ang SIC Coating ALD Susceptor ay isang sangkap na suporta na partikular na ginagamit sa proseso ng pag -aalis ng atomic layer (ALD). Ito ay gumaganap ng isang pangunahing papel sa kagamitan ng ALD, tinitiyak ang pagkakapareho at katumpakan ng proseso ng pag -aalis. Naniniwala kami na ang aming mga produktong ALD planetary na Susceptor ay maaaring magdala sa iyo ng mga de-kalidad na solusyon sa produkto.

Ang CVD SiC coated RTP susceptor mula sa VeTek Semiconductor ay nagsisilbi ng mabilis na thermal processing (RTP) at mabilis na thermal annealing (RTA) na kagamitan na ginagamit sa buong paggawa ng semiconductor. Ang substrate ay ginawa mula sa high-purity isostatic graphite, kung saan ang isang siksik na CVD silicon carbide (SiC) na layer ay idineposito. Ang construction na ito ay nagbubunga ng mataas na thermal conductivity, matatag na chemical inertness, at napapanatiling dimensional stability sa ilalim ng paulit-ulit na high-temperature na pagbibisikleta.