Mga produkto

Ang Veteksemicon's CVD SIC Coated Wafer Susceptor ay isang solusyon sa paggupit para sa mga proseso ng epitaxial na semiconductor, na nag-aalok ng sertipikadong ultra-high kadalisayan (≤100ppb, sertipikadong ICP-E10) at pambihirang thermal/kemikal na katatagan para sa kontaminasyon-resistant na paglaki ng GaN, SIC, at Silicon-based EPI-Layers. Inhinyero na may katumpakan na teknolohiya ng CVD, sinusuportahan nito ang 6 "/8"/12 "na mga wafer, tinitiyak ang kaunting thermal stress, at huminto sa matinding temperatura hanggang sa 1600 ° C.

Ang aming SIC coated planetary na Susceptor ay isang pangunahing sangkap sa proseso ng mataas na temperatura ng pagmamanupaktura ng semiconductor. Pinagsasama ng disenyo nito ang grapayt na substrate na may patong ng silikon na karbida upang makamit ang komprehensibong pag -optimize ng pagganap ng pamamahala ng thermal, katatagan ng kemikal at lakas ng makina.

Ang aming porous sic ceramic plate ay mga butas na ceramic na materyales na gawa sa silikon na karbida bilang pangunahing sangkap at naproseso ng mga espesyal na proseso. Ang mga ito ay kailangang -kailangan na mga materyales sa pagmamanupaktura ng semiconductor, pag -aalis ng singaw ng kemikal (CVD) at iba pang mga proseso.

Ang aming SIC Coated Sealing Ring para sa Epitaxy ay isang sangkap na may mataas na pagganap na sealing batay sa graphite o carbon-carbon composite na pinahiran ng high-kadalisayan na silikon na karbida (sic) sa pamamagitan ng pag-aalis ng singaw ng kemikal (CVD), na pinagsasama ang katatagan ng grapiko na may matinding paglaban sa kapaligiran ng SIC, at idinisenyo para sa semiconductor epitaxial na kagamitan (E.G.

Ang aming mataas na kadalisayan ng quartz boat ay gawa sa fused quartz (Sio₂ content ≥ 99.99%). Sa pamamagitan ng mahusay na pagtutol sa matinding mga kapaligiran, mababang koepisyent ng pagpapalawak ng thermal, at mahabang siklo ng buhay, ito ay naging isang hindi mababago na susi na maaaring maubos sa semiconductor at mga bagong industriya ng enerhiya.

Ang Focus Ring para sa Etching ay ang pangunahing sangkap upang matiyak ang kawastuhan at katatagan ng proseso. Ang mga sangkap na ito ay tiyak na tipunin sa isang silid ng vacuum upang makamit ang pantay na machining ng mga istruktura ng nanoscale sa ibabaw ng wafer sa pamamagitan ng tumpak na kontrol ng pamamahagi ng plasma, temperatura ng gilid at pagkakapareho ng electric field.