SIC Coated Wafer Carrier

Ang paggawa ng chip ay hindi mahihiwalay mula sa mga wafer. Sa proseso ng paghahanda ng wafer, mayroong dalawang pangunahing mga link: ang isa ay ang paghahanda ng substrate, at ang iba pa ay ang pagpapatupad ng proseso ng epitaxial. Ang substrate ay maaaring direktang ilagay sa proseso ng pagmamanupaktura ng wafer upang makabuo ng mga aparato ng semiconductor, o karagdagang pinahusay sa pamamagitan ngproseso ng epitaxial. 

Ang epitaxy ay upang mapalago ang isang bagong layer ng solong kristal sa isang solong kristal na substrate na pino na naproseso (pagputol, paggiling, buli, atbp.). Dahil ang bagong lumago na solong kristal na layer ay lalawak ayon sa kristal na yugto ng substrate, tinatawag itong isang epitaxial layer. Kapag ang epitaxial layer ay lumalaki sa substrate, ang kabuuan ay tinatawag na isang epitaxial wafer. Ang pagpapakilala ng teknolohiyang epitaxial ay matalino na malulutas ang maraming mga depekto ng mga solong substrate.

Sa hurno ng paglaki ng epitaxial, ang substrate ay hindi maaaring mailagay nang random, at atagadala ng ostiyaKinakailangan upang ilagay ang substrate sa may hawak ng wafer bago ang pag -aalis ng epitaxial ay maaaring isagawa sa substrate. Ang may hawak na wafer na ito ay ang SIC coated wafer carrier.

Cross-sectional na view ng EPI reactor

Isang mataas na kalidadSic coatingay inilapat sa ibabaw ng SGL graphite gamit ang teknolohiyang CVD:

Sa tulong ng SiC coating, maraming katangian ngSic coated wafer holderay makabuluhang napabuti:

● Mga katangian ng Antioxidant: Ang SiC coating ay may magandang oxidation resistance at kayang protektahan ang graphite matrix mula sa oxidation sa mataas na temperatura at pahabain ang buhay ng serbisyo nito.

●  Mataas na pagtutol sa temperatura: Ang natutunaw na punto ng SIC coating ay napakataas (tungkol sa 2700 ° C). Matapos ang pagdaragdag ng SIC coating sa Graphite Matrix, maaari itong makatiis ng mas mataas na temperatura, na kapaki -pakinabang sa aplikasyon sa kapaligiran ng paglaki ng epitaxial.

●  Paglaban sa kaagnasan: Ang grapayt ay madaling kapitan ng kemikal na kaagnasan sa ilang mga acidic o alkalina na kapaligiran, habang ang SIC coating ay may mahusay na pagtutol sa acid at alkali corrosion, kaya maaari itong magamit sa mga epitaxial growth furnaces sa loob ng mahabang panahon.

●  Wear resistance: Ang materyal na sic ay may mataas na tigas. Matapos ang grapayt ay pinahiran ng SIC, hindi ito madaling masira kapag ginamit sa isang epitaxial growth pugon, binabawasan ang rate ng pagsusuot ng materyal.

Ginagamit ng VeTek Semiconductor ang pinakamahuhusay na materyales at ang pinaka-advanced na teknolohiya sa pagpoproseso upang magbigay sa mga customer ng mga produktong carrier ng wafer carrier na nangunguna sa industriya. Ang malakas na teknikal na koponan ng VeTek Semiconductor ay palaging nakatuon sa pagsasaayos ng mga pinaka-angkop na produkto at ang pinakamahusay na mga solusyon sa system para sa mga customer.

SEM data ng CVD sic film

VeTek SemiconductorSIC Coated Wafer Carrier Shops