Balita sa industriya

Ang teknolohiya ng etching sa pagmamanupaktura ng semiconductor ay madalas na nakatagpo ng mga problema tulad ng pag-load ng epekto, epekto ng micro-groove at epekto ng singilin, na nakakaapekto sa kalidad ng produkto. Kasama sa mga solusyon sa pagpapabuti ang pag -optimize ng density ng plasma, pag -aayos ng komposisyon ng reaksyon ng gas, pagpapabuti ng kahusayan ng sistema ng vacuum, pagdidisenyo ng makatuwirang layout ng lithography, at pagpili ng naaangkop na mga materyales sa mask at mga kondisyon ng proseso.

Ang mainit na pagpindot sa sintering ay ang pangunahing pamamaraan para sa paghahanda ng mataas na pagganap na SIC keramika. Ang proseso ng mainit na pagpindot sa sintering ay kasama ang: pagpili ng mataas na kadalisayan na pulbos na pulbos, pagpindot at paghubog sa ilalim ng mataas na temperatura at mataas na presyon, at pagkatapos ay mapanlinlang. Ang mga keramika ng sic na inihanda ng pamamaraang ito ay may mga pakinabang ng mataas na kadalisayan at mataas na density, at malawakang ginagamit sa paggiling mga disc at kagamitan sa paggamot ng init para sa pagproseso ng wafer.

Ang mga pangunahing paraan ng paglago ng Silicon carbide (SiC) ay kinabibilangan ng PVT, TSSG, at HTCVD, bawat isa ay may natatanging mga pakinabang at hamon. Ang mga materyales sa thermal field na nakabatay sa carbon tulad ng mga insulation system, crucibles, TaC coatings, at porous graphite ay nagpapahusay ng paglaki ng kristal sa pamamagitan ng pagbibigay ng katatagan, thermal conductivity, at kadalisayan, na mahalaga para sa tumpak na katha at aplikasyon ng SiC.

Ang SiC ay may mataas na tigas, thermal conductivity, at corrosion resistance, na ginagawa itong perpekto para sa paggawa ng semiconductor. Ang CVD SiC coating ay nilikha sa pamamagitan ng chemical vapor deposition, na nagbibigay ng mataas na thermal conductivity, chemical stability, at isang katugmang lattice constant para sa epitaxial growth. Tinitiyak ng mababang thermal expansion at mataas na tigas nito ang tibay at katumpakan, kaya mahalaga ito sa mga application tulad ng mga wafer carrier, preheating ring, at higit pa. Dalubhasa ang VeTek Semiconductor sa mga custom na SiC coatings para sa magkakaibang pangangailangan sa industriya.

Ang Silicon Carbide (SIC) ay isang mataas na precision semiconductor material na kilala para sa mahusay na mga katangian tulad ng mataas na temperatura ng paglaban, paglaban ng kaagnasan, at mataas na lakas ng mekanikal. Mayroon itong higit sa 200 mga istruktura ng kristal, na may 3C-SIC na ang tanging uri ng cubic, na nag-aalok ng higit na likas na sphericity at pagpapagaan kumpara sa iba pang mga uri. Ang 3C-SIC ay nakatayo para sa mataas na kadaliang kumilos ng elektron, na ginagawang mainam para sa MOSFET sa mga electronics ng kuryente. Bilang karagdagan, nagpapakita ito ng malaking potensyal sa nanoelectronics, asul na LED, at sensor.

Ang Diamond, isang potensyal na pang-apat na henerasyon na "panghuli semiconductor," ay nakakakuha ng pansin sa mga substrate ng semiconductor dahil sa pambihirang tigas, thermal conductivity, at mga de-koryenteng katangian. Habang ang mataas na gastos at mga hamon sa paggawa ay nililimitahan ang paggamit nito, ang CVD ay ang ginustong pamamaraan. Sa kabila ng mga hamon sa doping at malalaking lugar na kristal, ang Diamond ay nangangako.

Ang SiC at GaN ay malawak na bandgap na mga semiconductor na may mga kalamangan kaysa sa silicon, tulad ng mas mataas na breakdown voltages, mas mabilis na bilis ng paglipat, at higit na kahusayan. Mas mahusay ang SiC para sa mga high-voltage, high-power na application dahil sa mas mataas na thermal conductivity nito, habang ang GaN ay nangunguna sa mga high-frequency na application salamat sa superyor nitong electron mobility.

Ang pagsingaw ng beam ng elektron ay isang lubos na mahusay at malawak na ginagamit na pamamaraan ng patong kumpara sa pag -init ng paglaban, na kumakain ng materyal na pagsingaw na may isang sinag ng elektron, na nagiging sanhi ng pag -singaw at pag -condense sa isang manipis na pelikula.

Kasama sa vacuum coating ang film material vaporization, vacuum transportasyon at manipis na paglago ng pelikula. Ayon sa iba't ibang mga pamamaraan ng vaporization ng materyal ng pelikula at mga proseso ng transportasyon, ang patong ng vacuum ay maaaring nahahati sa dalawang kategorya: PVD at CVD.

Inilalarawan ng artikulong ito ang mga pisikal na parameter at katangian ng produkto ng Porous Graphite ng VeTek Semiconductor, pati na rin ang mga partikular na aplikasyon nito sa pagproseso ng semiconductor.

Sinusuri ng artikulong ito ang mga katangian ng produkto at mga senaryo ng aplikasyon ng tantalum carbide coating at silikon carbide coating mula sa maraming mga pananaw.

Ang manipis na pag -aalis ng pelikula ay mahalaga sa paggawa ng chip, na lumilikha ng mga micro aparato sa pamamagitan ng pagdeposito ng mga pelikula sa ilalim ng 1 micron makapal sa pamamagitan ng CVD, ALD, o PVD. Ang mga prosesong ito ay nagtatayo ng mga sangkap ng semiconductor sa pamamagitan ng alternating conductive at insulating films.

Ang proseso ng pagmamanupaktura ng semiconductor ay nagsasangkot ng walong mga hakbang: pagproseso ng wafer, oksihenasyon, lithography, etching, manipis na pag -aalis ng pelikula, magkakaugnay, pagsubok, at packaging. Ang silikon mula sa buhangin ay naproseso sa mga wafer, oxidized, patterned, at etched para sa mga high-precision circuit.

Inilalarawan ng artikulong ito na ang LED substrate ay ang pinakamalaking aplikasyon ng sapiro, pati na rin ang pangunahing pamamaraan ng paghahanda ng mga kristal na sapiro: lumalagong mga kristal na sapiro sa pamamagitan ng pamamaraan ng czochralski, lumalagong mga kristal na sapiro sa pamamagitan ng pamamaraan ng Kyropoulos, lumalagong mga crystals ng sapiro sa pamamagitan ng gabay na pamamaraan ng amag, at lumalagong mga kristal na sapiro sa pamamagitan ng paraan ng pagpapalitan ng init.

Ipinapaliwanag ng artikulo ang temperatura ng gradient sa isang solong-kristal na hurno. Saklaw nito ang mga static at dynamic na mga patlang ng init sa panahon ng paglaki ng kristal, ang solid-likidong interface, at ang papel na ginagampanan ng gradient ng temperatura sa solidification.

Ang proseso ng taiko thins silikon wafers gamit ang mga prinsipyo, teknikal na pakinabang at mga pinagmulan ng proseso.