Crucible para sa monocrystalline silikon

Sa pamamaraan ng CZ (Czochralski), ang isang solong kristal ay lumaki sa pamamagitan ng pagdadala ng isang monocrystalline seed na makipag -ugnay sa tinunaw na polycrystalline silikon. Ang binhi ay unti -unting hinila paitaas habang dahan -dahang pinaikot. Sa prosesong ito, ginagamit ang isang makabuluhang bilang ng mga bahagi ng grapayt, na ginagawa itong pamamaraan na gumagamit ng pinakamataas na dami ng mga sangkap ng grapayt sa paggawa ng silikon semiconductor.

Ang tamang larawan ay nagbibigay ng isang representasyon ng eskematiko ng isang silikon na single-crystal na pugon ng pagmamanupaktura batay sa pamamaraan ng CZ.

Ang Vetek Semiconductor's Crucible para sa monocrystalline silikon ay nagbibigay ng isang matatag at kinokontrol na kapaligiran na mahalaga para sa tumpak na pagbuo ng mga semiconductor crystals. Ang mga ito ay nakatutulong sa paglaki ng monocrystalline silikon ingots gamit ang mga advanced na pamamaraan tulad ng proseso ng Czochralski at mga pamamaraan ng float-zone, na mahalaga para sa paggawa ng mga de-kalidad na materyales para sa mga elektronikong aparato.

Inhinyero para sa natitirang thermal katatagan, paglaban sa kaagnasan ng kemikal, at minimal na pagpapalawak ng thermal, tinitiyak ng mga crucibles na ito ang tibay at katatagan. Ang mga ito ay dinisenyo upang mapaglabanan ang malupit na mga kemikal na kapaligiran nang hindi nakompromiso ang integridad ng istruktura o pagganap, sa gayon ay pinalawak ang buhay ng Crucible at pinapanatili ang pare -pareho na pagganap sa matagal na paggamit.

Ang natatanging komposisyon ng Vetek semiconductor crucibles para sa monocrystalline silikon ay nagbibigay-daan sa kanila upang matiis ang matinding mga kondisyon ng pagproseso ng mataas na temperatura. Ginagarantiyahan nito ang pambihirang thermal katatagan at kadalisayan, na kritikal para sa pagproseso ng semiconductor. Pinapabilis din ng komposisyon ang mahusay na paglipat ng init, na nagtataguyod ng pantay na pagkikristal at pag -minimize ng mga thermal gradients sa loob ng natutunaw na silikon.

✔ Proteksyon ng materyal na base: AngCVD sic coatingkumikilos bilang isang proteksiyon na layer sa panahon ng proseso ng epitaxial, na epektibong protektahan ang base material mula sa pagguho at pinsala na dulot ng panlabas na kapaligiran. Ang panukalang proteksiyon na ito ay lubos na nagpapalawak ng buhay ng serbisyo ng kagamitan.

✔ Napakahusay na thermal conductivity: Ang aming CVD sic coating ay nagtataglay ng natitirang thermal conductivity, mahusay na paglilipat ng init mula sa base material hanggang sa patong na ibabaw. Pinahuhusay nito ang kahusayan sa pamamahala ng thermal sa panahon ng epitaxy, tinitiyak ang pinakamainam na temperatura ng operating para sa kagamitan.

✔ Pinahusay na kalidad ng pelikula: Ang CVD sic coating ay nagbibigay ng isang patag at pantay na ibabaw, na lumilikha ng isang perpektong pundasyon para sa paglaki ng pelikula. Binabawasan nito ang mga depekto na nagreresulta mula sa lattice mismatch, pinapahusay ang pagkikristal at kalidad ng epitaxial film, at sa huli ay nagpapabuti sa pagganap at pagiging maaasahan nito.