Aixtron satellite wafer carrier

Ang Vetek Semiconductor's Aixtron Satellite Wafer Carrier ay isang wafer carrier na ginamit sa kagamitan ng Aixtron, pangunahing ginagamit sa mga proseso ng MOCVD, at partikular na angkop para sa mga proseso ng pagproseso ng high-procision semiconductor. Ang carrier ay maaaring magbigay ng matatag na suporta sa wafer at pantay na pag -aalis ng pelikula sa panahon ng paglaki ng epitaxial ng MOCVD, na mahalaga para sa proseso ng pag -aalis ng layer. Maligayang pagdating sa iyong karagdagang konsultasyon.

Magpadala ng Inquiry

Paglalarawan ng Produkto

Ang Aixtron Satellite Wafer Carrier ay isang mahalagang bahagi ng kagamitan sa AIXTRON MOCVD, na espesyal na ginagamit upang magdala ng mga wafer para sa paglaki ng epitaxial. Ito ay partikular na angkop para saPaglago ng EpitaxialProseso ng mga aparato ng GaN at Silicon Carbide (SIC). Ang natatanging disenyo ng "satellite" ay hindi lamang nagsisiguro sa pagkakapareho ng daloy ng gas, ngunit pinapabuti din ang pagkakapareho ng pag -aalis ng pelikula sa ibabaw ng wafer.

Aixtron'sWafer Carriersay karaniwang gawa saSilicon Carbide (sic)o CVD-coated grapayt. Kabilang sa mga ito, ang silikon na karbida (SIC) ay may mahusay na thermal conductivity, mataas na temperatura ng paglaban at mababang koepisyent ng pagpapalawak ng thermal. Ang CVD coated grapayt ay grapayt na pinahiran ng isang silikon na karbida sa pamamagitan ng isang proseso ng pag -aalis ng singaw ng kemikal (CVD), na maaaring mapahusay ang paglaban ng kaagnasan at lakas ng mekanikal. Ang SIC at coated grapayt na materyales ay maaaring makatiis ng mga temperatura hanggang sa 1,400 ° C -1,600 ° C at may mahusay na katatagan ng thermal sa mataas na temperatura, na kritikal para sa proseso ng paglago ng epitaxial.

Aixtron Satellite Wafer Carrier

Ang aixtron satellite wafer carrier ay pangunahing ginagamit upang dalhin at paikutin ang mga wafer saProseso ng MOCVDUpang matiyak ang pantay na daloy ng gas at pantay na pag -aalis sa panahon ng paglaki ng epitaxial.Ang mga tiyak na pag -andar ay ang mga sumusunod:

● Pag -ikot ng wafer at pantay na pag -aalis: Sa pamamagitan ng pag -ikot ng aixtron satellite carrier, ang wafer ay maaaring mapanatili ang matatag na paggalaw sa panahon ng paglaki ng epitaxial, na nagpapahintulot sa gas na daloy nang pantay -pantay sa ibabaw ng wafer upang matiyak ang pantay na pag -aalis ng mga materyales.

● Mataas na temperatura ng pagdadala at katatagan: Ang silikon na karbida o pinahiran na mga materyales na grapayt ay maaaring makatiis ng mga temperatura hanggang sa 1,400 ° C -1,600 ° C. Tinitiyak ng tampok na ito na ang wafer ay hindi magbabago sa panahon ng mataas na temperatura na epitaxial na paglago, habang pinipigilan ang pagpapalawak ng thermal ng carrier mismo mula sa nakakaapekto sa proseso ng epitaxial.

● Nabawasan ang henerasyon ng butil: Ang mga de-kalidad na materyales ng carrier (tulad ng SIC) ay may makinis na mga ibabaw na nagbabawas ng henerasyon ng butil sa panahon ng pag-aalis ng singaw, sa gayon ay binabawasan ang posibilidad ng kontaminasyon, na kritikal para sa paggawa ng mataas na kadalisayan, de-kalidad na mga materyales na semiconductor.

Aixtron epitaxial equipment

Ang Veteksemicon's Aixtron Satellite Wafer Carrier ay magagamit sa 100mm, 150mm, 200mm at kahit na mas malaking sukat ng wafer, at maaaring magbigay ng mga pasadyang serbisyo ng produkto batay sa iyong mga kagamitan at mga kinakailangan sa proseso. Taos-puso kaming umaasa na maging iyong pangmatagalang kasosyo sa China.

SEM data ng CVD sic film crystal istraktura：

SEM DATA OF CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE