Silicon Carbide Coated EPI Susceptor

Ang semiconductor epitaxy ay tumutukoy sa paglaki ng isang manipis na pelikula na may isang tiyak na istraktura ng sala -sala sa ibabaw ng isang materyal na substrate sa pamamagitan ng Parehas o katulad na istraktura ng sala -sala at orientation bilang substrate. 

Ang teknolohiya ng epitaxy ay mahalaga sa pagmamanupaktura ng semiconductor, lalo na sa paghahanda ng mga de-kalidad na manipis na pelikula, tulad ng mga single crystal layer, heterostructure at quantum structure na ginagamit sa paggawa ng mga device na may mataas na pagganap.

Ang silikon na karbida na pinahiran na EPI na Susceptor ay isang pangunahing sangkap na ginamit upang suportahan ang substrate sa mga kagamitan sa paglago ng epitaxial at malawakang ginagamit sa silikon na epitaxy. Ang kalidad at pagganap ng epitaxial pedestal ay direktang nakakaapekto sa kalidad ng paglago ng epitaxial layer at gumaganap ng isang mahalagang papel sa pangwakas na pagganap ng mga aparato ng semiconductor.

Pinahiran ng VeTek Semiconductor ang isang layer ng SIC coating sa ibabaw ng SGL graphite sa pamamagitan ng CVD method, at nakakuha ng SiC coated epi susceptor na may mga katangian tulad ng high temperature resistance, oxidation resistance, corrosion resistance, at thermal uniformity.

Sa isang tipikal na barrel reactor, ang silicon carbide coated Epi susceptor ay may istraktura ng bariles. Ang ilalim ng SiC coated Epi susceptor ay konektado sa umiikot na baras. Sa panahon ng proseso ng paglaki ng epitaxial, pinapanatili nito ang alternating clockwise at counterclockwise rotation. Ang reaksyon ng gas ay pumapasok sa silid ng reaksyon sa pamamagitan ng nozzle, upang ang daloy ng gas ay bumubuo ng isang medyo pare-parehong pamamahagi sa silid ng reaksyon, at sa wakas ay bumubuo ng isang pare-parehong paglaki ng epitaxial layer.

Ang ugnayan sa pagitan ng pagbabago ng masa ng SiC coated graphite at ang oras ng oksihenasyon

Ang mga resulta ng nai -publish na mga pag -aaral ay nagpapakita na sa 1400 ℃ at 1600 ℃, ang masa ng SIC coated grapayt ay tumataas nang kaunti. Iyon ay, ang SIC coated grapayt ay may isang malakas na kapasidad ng antioxidant. Samakatuwid, ang SIC coated EPI na Susceptor ay maaaring gumana nang mahabang panahon sa karamihan ng mga epitaxial furnaces. Kung mayroon kang higit pang mga kinakailangan o na -customize na mga pangangailangan, mangyaring makipag -ugnay sa amin. Kami ay nakatuon sa pagbibigay ng pinakamahusay na kalidad na SIC na pinahiran na EPI na mga solusyon sa susceptor.

Mga pangunahing pisikal na katangian ng CVD SiC coating

Ito semiconductorSilicon Carbide Coated EPI Susceptor Shops