SIC coated satellite cover para sa MOCVD

Bilang isang nangungunang SIC coated MOCVD satellite cover tagagawa sa China, ang VeteksemCon ay nakatuon sa pagbibigay ng mataas na pagganap ng mga solusyon sa proseso ng epitaxial sa industriya ng semiconductor. Ang aming mga takip na pinahiran ng MOCVD SIC ay maingat na idinisenyo at karaniwang ginagamit sa satellite susceptor system (SSS) upang suportahan at masakop ang mga wafer o mga sample upang ma -optimize ang kapaligiran ng paglago at pagbutihin ang kalidad ng epitaxial.

Mga pangunahing materyales at istraktura

● Substrate: Ang sic coated cover para sa ay karaniwang gawa sa mataas na kadalisayan grapayt o ceramic substrate, tulad ng isostatic grapayt, upang magbigay ng mahusay na lakas ng mekanikal at magaan na timbang.

●  Patong sa ibabaw: Ang isang mataas na kadalisayan na silikon na karbida (sic) na materyal na pinahiran gamit ang proseso ng pag-aalis ng singaw ng kemikal (CVD) upang mapahusay ang paglaban sa mataas na temperatura, kaagnasan at kontaminasyon ng butil.

●  Form: Karaniwan ang hugis ng disk o may mga espesyal na disenyo ng istruktura upang mapaunlakan ang iba't ibang mga modelo ng kagamitan sa MOCVD (hal., Veeco, Aixtron).

Gumagamit at mga pangunahing papel sa proseso ng MOCVD:

Ang SIC coated satellite cover para sa MOCVD ay pangunahing ginagamit sa MOCVD epitaxial growth reaksyon ng silid ng reaksyon, at ang mga pag -andar nito ay kasama ang:

(1) Pagprotekta sa mga wafer at pag -optimize ng pamamahagi ng temperatura

Bilang isang pangunahing sangkap ng kalasag sa init sa kagamitan ng MOCVD, sumasaklaw ito sa perimeter ng wafer upang mabawasan ang hindi pantay na pag-init at pagbutihin ang pagkakapareho ng temperatura ng paglago.

Mga katangian: Ang patong ng karbida ng silikon ay may mahusay na mataas na katatagan ng temperatura at thermal conductivity (300w.m^-1-K^-1), na tumutulong na mapabuti ang kapal ng epitaxial layer at pagkakapareho ng doping.

(2) Pigilan ang kontaminasyon ng butil at pagbutihin ang kalidad ng epitaxial layer

Ang siksik at kaagnasan na lumalaban sa ibabaw ng SIC coating ay pinipigilan ang mga mapagkukunan ng mapagkukunan (hal. TMGA, TMAL, NH₃) mula sa pagtugon sa substrate sa panahon ng proseso ng MOCVD at binabawasan ang kontaminasyon ng butil.

Mga katangian: Ang mga mababang katangian ng adsorption ay binabawasan ang nalalabi sa pag -aalis, pagbutihin ang ani ng GaN, sic epitaxial wafer.

.

Ang mataas na temperatura (> 1000 ° C) at mga corrosive gas (hal. NH₃, H₂) ay ginagamit sa proseso ng MOCVD. Ang mga coatings ng SIC ay epektibo sa paglaban sa pagguho ng kemikal at pagbabawas ng mga gastos sa pagpapanatili ng kagamitan.

Mga katangian: Dahil sa mababang koepisyent ng pagpapalawak ng thermal (4.5 × 10^-6K^-1), Pinapanatili ng SIC ang dimensional na katatagan at maiiwasan ang pagbaluktot sa mga thermal cycling environment.

CVD Coating Film Crystal Structure ：

Mga pangunahing pisikal na katangian ng CVD sic coating

Ang Veteksemicon's sic coated satellite cover para sa MOCVD Products Shop: