Kung ang EPI Receiver

Ang sumusunod ay ang pagpapakilala ng mataas na kalidad na SI EPI na Susceptor, na umaasang makakatulong sa iyo na mas maunawaan ang uri ng bariles si EPI na Susceptor. Maligayang pagdating sa bago at lumang mga customer upang magpatuloy na makipagtulungan sa amin upang lumikha ng isang mas mahusay na hinaharap!

Ang isang epitaxial reaktor ay isang dalubhasang aparato na ginagamit para sa pag -unlad ng epitaxial sa pagmamanupaktura ng semiconductor. Ang uri ng Barrel Si EPI na Susceptor ay nagbibigay ng isang kapaligiran na kumokontrol sa temperatura, kapaligiran at iba pang mga pangunahing mga parameter upang magdeposito ng mga bagong layer ng kristal sa ibabaw ng wafer.

Ang pangunahing bentahe ng Barrel Type Si Epi Susceptor ay ang kakayahang magproseso ng maraming chips nang sabay-sabay, na nagpapataas ng kahusayan sa produksyon. Karaniwan itong mayroong maraming mount o clamp para sa paghawak ng maramihang mga wafer upang ang maramihang mga wafer ay maaaring lumaki sa parehong oras sa parehong ikot ng paglaki. Binabawasan ng feature na ito na mataas ang throughput ang mga cycle at gastos ng produksyon at pinapabuti ang kahusayan sa produksyon.

Bilang karagdagan, ang uri ng bariles na SI EPI ay nag -aalok ng na -optimize na temperatura at kontrol sa kapaligiran. Nilagyan ito ng isang advanced na sistema ng control control na maaaring tumpak na makontrol at mapanatili ang nais na temperatura ng paglago. Kasabay nito, nagbibigay ito ng mahusay na kontrol sa kapaligiran, tinitiyak na ang bawat chip ay lumaki sa ilalim ng parehong mga kondisyon ng kapaligiran. Makakatulong ito upang makamit ang pantay na paglaki ng epitaxial layer at pagbutihin ang kalidad at pagkakapare -pareho ng epitaxial layer.

Sa uri ng bariles si SI EPI na Susceptor, ang chip ay karaniwang nakakamit ng pantay na pamamahagi ng temperatura at paglipat ng init sa pamamagitan ng daloy ng hangin o daloy ng likido. Ang pantay na pamamahagi ng temperatura na ito ay nakakatulong na maiwasan ang pagbuo ng mga hot spot at gradients ng temperatura, sa gayon ay mapapabuti ang pagkakapareho ng epitaxial layer.

Ang isa pang bentahe ay ang uri ng bariles na SI EPI na Susceptor ay nagbibigay ng kakayahang umangkop at scalability. Maaari itong maiakma at na -optimize para sa iba't ibang mga materyales na epitaxial, laki ng chip at mga parameter ng paglago. Pinapayagan nito ang mga mananaliksik at inhinyero na magsagawa ng mabilis na pag -unlad ng proseso at pag -optimize upang matugunan ang mga epitaxial na pangangailangan ng paglago ng iba't ibang mga aplikasyon at mga kinakailangan.