Balita

Sa isang panahon ng mabilis na pag -unlad ng teknolohikal, ang pag -print ng 3D, bilang isang mahalagang kinatawan ng advanced na teknolohiya sa pagmamanupaktura, ay unti -unting binabago ang mukha ng tradisyonal na pagmamanupaktura. Sa patuloy na kapanahunan ng teknolohiya at ang pagbawas ng mga gastos, ang teknolohiyang pag -print ng 3D ay nagpakita ng malawak na mga prospect ng aplikasyon sa maraming larangan tulad ng aerospace, paggawa ng sasakyan, kagamitan sa medikal, at disenyo ng arkitektura, at isinulong ang pagbabago at pag -unlad ng mga industriya na ito.

Ang mga solong kristal na materyales lamang ay hindi makakatugon sa mga pangangailangan ng lumalagong produksyon ng iba't ibang mga aparatong semiconductor. Sa pagtatapos ng 1959, isang manipis na layer ng solong kristal na teknolohiya ng paglago ng materyal - ang paglago ng epitaxial ay binuo.

Ang Silicon Carbide ay isa sa mga perpektong materyales para sa paggawa ng mataas na temperatura, mataas na dalas, mataas na kapangyarihan at mga aparato na may mataas na boltahe. Upang mapagbuti ang kahusayan ng produksyon at mabawasan ang mga gastos, ang paghahanda ng malaking laki ng mga substrate na silikon na karbida ay isang mahalagang direksyon ng pag-unlad.

Ayon sa mga balita sa ibang bansa, dalawang source ang nagpahayag noong Hunyo 24 na ang ByteDance ay nakikipagtulungan sa US chip design company na Broadcom para bumuo ng isang advanced na artificial intelligence (AI) computing processor, na tutulong sa ByteDance na matiyak ang sapat na supply ng high-end chips sa gitna ng tensyon sa pagitan ng China. at ang Estados Unidos.

Bilang isang nangungunang tagagawa sa industriya ng SiC, ang mga nauugnay na dinamika ng Sanan Optoelectronics ay nakatanggap ng malawakang atensyon sa industriya. Kamakailan, isiniwalat ng Sanan Optoelectronics ang isang serye ng mga pinakabagong pag-unlad, na kinasasangkutan ng 8-pulgadang pagbabago, bagong produksyon ng pabrika ng substrate, pagtatatag ng mga bagong kumpanya, mga subsidiya ng gobyerno at iba pang aspeto.

Sa paglaki ng SiC at AlN single crystals gamit ang physical vapor transport (PVT) na paraan, ang mga mahahalagang bahagi tulad ng crucible, seed holder, at guide ring ay may mahalagang papel. Gaya ng inilalarawan sa Figure 2 [1], sa panahon ng proseso ng PVT, ang seed crystal ay nakaposisyon sa mas mababang rehiyon ng temperatura, habang ang SiC raw na materyal ay nakalantad sa mas mataas na temperatura (sa itaas 2400 ℃).