Balita

Sa industriya ng pagmamanupaktura ng semiconductor, habang ang laki ng aparato ay patuloy na pag -urong, ang teknolohiya ng pag -aalis ng mga manipis na materyales sa pelikula ay nagdulot ng mga hindi pa naganap na mga hamon. Ang Atomic Layer Deposition (ALD), bilang isang manipis na teknolohiya ng pag -aalis ng pelikula na maaaring makamit ang tumpak na kontrol sa antas ng atomic, ay naging isang kailangang -kailangan na bahagi ng pagmamanupaktura ng semiconductor. Ang artikulong ito ay naglalayong ipakilala ang daloy ng proseso at mga prinsipyo ng ALD upang makatulong na maunawaan ang mahalagang papel nito sa advanced na paggawa ng chip.

Mainam na bumuo ng mga integrated circuit o semiconductor na aparato sa isang perpektong mala-kristal na base layer. Ang proseso ng epitaxy (epi) sa pagmamanupaktura ng semiconductor ay naglalayong magdeposito ng isang pinong single-crystalline layer, karaniwang mga 0.5 hanggang 20 microns, sa isang single-crystalline na substrate. Ang proseso ng epitaxy ay isang mahalagang hakbang sa paggawa ng mga aparatong semiconductor, lalo na sa paggawa ng silicon wafer.

Ang pangunahing pagkakaiba sa pagitan ng epitaxy at atomic layer deposition (ALD) ay namamalagi sa kanilang mga mekanismo ng paglago ng pelikula at mga kondisyon ng operating. Ang epitaxy ay tumutukoy sa proseso ng paglaki ng isang mala -kristal na manipis na pelikula sa isang mala -kristal na substrate na may isang tiyak na relasyon sa orientation, pinapanatili ang pareho o katulad na istruktura ng kristal. Sa kaibahan, ang ALD ay isang pamamaraan ng pag -aalis na nagsasangkot ng paglalantad ng isang substrate sa iba't ibang mga precursor ng kemikal sa pagkakasunud -sunod upang makabuo ng isang manipis na pelikula ng isang atomic layer nang sabay -sabay.

Ang CVD TAC coating ay isang proseso para sa pagbuo ng isang siksik at matibay na patong sa isang substrate (grapayt). Ang pamamaraang ito ay nagsasangkot ng pagdeposito ng TAC papunta sa ibabaw ng substrate sa mataas na temperatura, na nagreresulta sa isang tantalum carbide (TAC) coating na may mahusay na thermal stability at paglaban sa kemikal.

Habang tumatanda ang 8-pulgadang silicon carbide (SiC), pinapabilis ng mga tagagawa ang paglipat mula 6-pulgada hanggang 8-pulgada. Kamakailan, ang ON Semiconductor at Resonac ay nag-anunsyo ng mga update sa 8-inch SiC production.

Ipinakikilala ng artikulong ito ang pinakabagong mga pag-unlad sa bagong idinisenyong PE1O8 na mainit na pader na CVD reactor ng kumpanyang Italyano na LPE at ang kakayahan nitong magsagawa ng pare-parehong 4H-SiC epitaxy sa 200mm SiC.