Balita

Balita

Natutuwa kaming ibahagi sa iyo ang tungkol sa mga resulta ng aming trabaho, balita ng kumpanya, at bigyan ka ng napapanahong mga pag-unlad at appointment ng mga tauhan at mga kondisyon sa pag-alis.
ALD Atomic Layer Deposition Recipe27 2024-07

ALD Atomic Layer Deposition Recipe

Spatial ALD, spatially isolated atomic layer deposition. Ang wafer ay gumagalaw sa pagitan ng iba't ibang mga posisyon at nakalantad sa iba't ibang mga precursor sa bawat posisyon. Ang figure sa ibaba ay isang paghahambing sa pagitan ng tradisyonal na ALD at spatially isolated ALD.
Tantalum Carbide Technology Breakthrough, SIC Epitaxial Pollution Nabawasan ng 75%?27 2024-07

Tantalum Carbide Technology Breakthrough, SIC Epitaxial Pollution Nabawasan ng 75%?

Kamakailan lamang, ang German Research Institute na si Fraunhofer IISB ay gumawa ng isang tagumpay sa pananaliksik at pag -unlad ng teknolohiyang patong ng carbide ng carbide, at nakabuo ng isang solusyon sa spray coating na mas nababaluktot at palakaibigan sa kapaligiran kaysa sa solusyon ng pag -aalis ng CVD, at naging komersyal.
Exploratory application ng 3D na teknolohiya sa pag -print sa industriya ng semiconductor19 2024-07

Exploratory application ng 3D na teknolohiya sa pag -print sa industriya ng semiconductor

Sa isang panahon ng mabilis na pag -unlad ng teknolohikal, ang pag -print ng 3D, bilang isang mahalagang kinatawan ng advanced na teknolohiya sa pagmamanupaktura, ay unti -unting binabago ang mukha ng tradisyonal na pagmamanupaktura. Sa patuloy na kapanahunan ng teknolohiya at ang pagbawas ng mga gastos, ang teknolohiyang pag -print ng 3D ay nagpakita ng malawak na mga prospect ng aplikasyon sa maraming larangan tulad ng aerospace, paggawa ng sasakyan, kagamitan sa medikal, at disenyo ng arkitektura, at isinulong ang pagbabago at pag -unlad ng mga industriya na ito.
Silicon (SI) Epitaxy Paghahanda ng Teknolohiya16 2024-07

Silicon (SI) Epitaxy Paghahanda ng Teknolohiya

Ang mga solong kristal na materyales lamang ay hindi makakatugon sa mga pangangailangan ng lumalagong produksyon ng iba't ibang mga aparatong semiconductor. Sa pagtatapos ng 1959, isang manipis na layer ng solong kristal na teknolohiya ng paglago ng materyal - ang paglago ng epitaxial ay binuo.
Batay sa 8-pulgada na silikon na karbida solong teknolohiya ng paglago ng kristal11 2024-07

Batay sa 8-pulgada na silikon na karbida solong teknolohiya ng paglago ng kristal

Ang Silicon Carbide ay isa sa mga perpektong materyales para sa paggawa ng mataas na temperatura, mataas na dalas, mataas na kapangyarihan at mga aparato na may mataas na boltahe. Upang mapagbuti ang kahusayan ng produksyon at mabawasan ang mga gastos, ang paghahanda ng malaking laki ng mga substrate na silikon na karbida ay isang mahalagang direksyon ng pag-unlad.
Ang mga kumpanyang Tsino ay naiulat na bumubuo ng 5nm chips na may Broadcom!10 2024-07

Ang mga kumpanyang Tsino ay naiulat na bumubuo ng 5nm chips na may Broadcom!

Ayon sa mga balita sa ibang bansa, dalawang source ang nagpahayag noong Hunyo 24 na ang ByteDance ay nakikipagtulungan sa US chip design company na Broadcom para bumuo ng isang advanced na artificial intelligence (AI) computing processor, na tutulong sa ByteDance na matiyak ang sapat na supply ng high-end chips sa gitna ng tensyon sa pagitan ng China. at ang Estados Unidos.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept