Mataas na kadalisayan matibay na nadama

Ang paglaki ng epitaxial ay isang teknolohiya para sa paglaki ng mataas na kalidad na silikon na karbida manipis na pelikula sa ibabaw ng isang substrate. Ang prosesong ito ay mahalaga para sa paggawa ng mga high-performance silikon na karbida na mga aparato ng semiconductor, tulad ng mga aparato ng kuryente na karbida at mga aparato ng silikon na RF. Sa prosesong ito, ang kapaligiran ng paglago, kabilang ang temperatura, daloy ng gas, presyon at iba pang mga parameter, ay kailangang mahigpit na kontrolado upang matiyak ang paglaki ng mataas na kalidad, mataas na kadalisayan na silikon na mga epitaxial layer na may mahusay na mga de-koryenteng katangian. Ang SIC Coutig Halfmoon Graphite Parts ay ang pangunahing sangkap ng paglaki ng epitaxial, at ang mataas na kadalisayan ay mahigpit na naramdaman higit sa lahat ay gumaganap ng papel ng pagpapanatili ng init ng sic coating na halfmoon na mga bahagi ng grapayt.

Ang mataas na kadalisayan ay nadama ay may mahusay na thermal conductivity, na maaaring pantay na ipamahagi ang init ng mapagkukunan ng pag -init sa paligid ng mga bahagi ng SIC coutig na halfmoon na mga bahagi ng grapayt at may mahusay na epekto sa pangangalaga ng init. Sa panahon ng paglaki ng epitaxial ng SIC, maaari itong sumipsip ng init at ilabas ito nang dahan -dahan upang maiwasan ang lokal na sobrang pag -init o overcooling, upang ang pagkakaiba sa temperatura sa ibabaw ng substrate ng silikon na karbida ay kinokontrol sa loob ng isang napakaliit na saklaw, at ang pagkakapareho ng temperatura ay karaniwang maabot ang ± 1 - 2 ℃, na napakahalaga para sa paglaki ng isang silikon na carbide epitaxial layer na may pantay na kapal at pare -pareho ang mga de -koryenteng katangian.

Ang ilang mga kinakaing unti -unting gas, tulad ng silane (SIH4) at propane (C3H8), ay ginagamit bilang mga reaksyon na mapagkukunan ng reaksyon sa paglaki ng epitaxial. Ang mataas na kadalisayan na mahigpit na nadama ay may mahusay na pagpapaubaya sa mga gas na kemikal na ito, at maaaring mapanatili ang integridad ng istruktura nito sa buong pag -ikot ng paglago ng epitaxial (na maaaring tumagal ng maraming oras o kahit na dose -dosenang mga oras). At ang kadalisayan ng mataas na kadalisayan na mahigpit na nadama ay higit sa 99.99%, at hindi nito ilalabas ang mga sangkap na maaaring mahawahan ang epitaxial layer sa reaksyon ng reaksyon, sa gayon tinitiyak ang mataas na kadalisayan ng silikon na carbide epitaxial layer.

Ang naaangkop na density ay maaaring matiyak ang mekanikal na lakas at thermal conductivity ng mataas na kadalisayan na mahigpit na nadama. Habang tinitiyak ang thermal conductivity, maaari nitong mabawasan ang pagkagambala ng mga panlabas na kadahilanan sa paglaki ng epitaxial ng SIC.

Kung ikukumpara sa tradisyonal na mga materyales sa ceramic at mga materyales na metal, ang mataas na kadalisayan ng grapayt na mahigpit na nadama ay may mas mahusay na thermal conductivity at katatagan ng kemikal, at isang mahusay na pandiwang pantulong na sangkap para sa paglaki ng epitaxial.

Bilang isang nangungunang China High purity rigid felt supplier at factory, ang VeTek Semiconductor ay nagbibigay ng lubos na customized na mga produkto, ito man ay mga materyales o laki ng produkto, maaari itong iayon para sa iyo. Bukod dito, ang VeTek Semiconductor ay matagal nang nakatuon sa pagbibigay ng advanced na High purity rigid felt na teknolohiya at mga solusyon sa produkto para sa industriya ng semiconductor. Taos-puso kaming umaasa na maging iyong pangmatagalang kasosyo sa China.

Vetek semiconductor mataas na kadalisayan mahigpit na nadama na mga tindahan ng produksiyon: