4H semi insulating type sic substrate

Ang Sic Wafer ay gumaganap ng maraming mga pangunahing papel sa proseso ng pagproseso ng semiconductor. Pinagsama sa mataas na resistivity nito, mataas na thermal conductivity, malawak na bandgap at iba pang mga pag-aari, malawak itong ginagamit sa mga mataas na dalas, mataas na kapangyarihan at mataas na temperatura, lalo na sa mga aplikasyon ng microwave at RF. Ito ay isang kailangang -kailangan na produkto ng sangkap sa proseso ng pagmamanupaktura ng semiconductor.

Pangunahing kalamangan

1. Napakahusay na mga katangian ng elektrikal

Mataas na Kritikal na Breakdown Electric Field (mga 3 mV/cm): Mga 10 beses na mas mataas kaysa sa silikon, ay maaaring suportahan ang mas mataas na boltahe at mas payat na disenyo ng layer ng drift, makabuluhang bawasan ang on-resistensya, na angkop para sa mataas na mga aparato ng lakas ng boltahe.

Mga katangian ng semi-insulating: Mataas na resistivity (> 10^5 Ω · cm) sa pamamagitan ng vanadium doping o intrinsic defect na kabayaran, na angkop para sa mataas na dalas, mababang pagkawala ng mga aparato ng RF (tulad ng hemts), pagbabawas ng mga epekto ng kapasidad ng parasitiko.

2. Katatagan ng thermal at kemikal

Mataas na thermal conductivity (4.9W /cm · k): Ang mahusay na pagganap ng dissipation ng init, suportahan ang mataas na temperatura ng trabaho (ang temperatura ng teoretikal na nagtatrabaho ay maaaring umabot sa 200 ℃ o higit pa), bawasan ang mga kinakailangan sa pagwawaldas ng init ng system.

Kemikal na pagkawalang -galaw: Inert sa karamihan ng mga acid at alkalis, malakas na pagtutol ng kaagnasan, na angkop para sa malupit na kapaligiran.

3. Materyal na istraktura at kalidad ng kristal

4H polytypic na istraktura: Ang hexagonal na istraktura ay nagbibigay ng mas mataas na kadaliang kumilos ng elektron (hal.

Mataas na kalidad na paglaki ng epitaxial: Mababang kakulangan ng density ng heterogenous epitaxial films (tulad ng mga epitaxial layer sa Aln/Si composite substrates) ay maaaring makamit sa pamamagitan ng teknolohiya ng CVD (Chemical Vapor Deposition), pagpapabuti ng pagiging maaasahan ng aparato.

4. Kakayahan sa Proseso

Tugma sa proseso ng silikon: Ang layer ng pagkakabukod ng SIO₂ ay maaaring mabuo sa pamamagitan ng thermal oksihenasyon, na madaling isama ang mga aparato na batay sa silikon tulad ng MOSFET.

Optimization ng OHMIC CONTACT: Ang paggamit ng multi-layer metal (tulad ng proseso ng alloying ng Ni/Ti/Pt), bawasan ang paglaban sa contact (tulad ng paglaban ng contact ng Ni/Si/Al na mas mababa sa 1.3 × 10^-4 Ω · cm), pagbutihin ang pagganap ng aparato.

5. Mga Eksena sa Application

Power Electronics: Ginamit upang gumawa ng mga high-boltahe na Schottky diode (SBD), mga module ng IGBT, atbp.

Mga aparato ng RF: Angkop para sa mga istasyon ng base ng komunikasyon ng 5G, radar at iba pang mga senaryo na may mataas na dalas, tulad ng mga aparato ng Algan/Gan Hemt.

Ang Vetek Semiconductor ay patuloy na hinahabol ang mas mataas na kalidad ng kristal at kalidad ng pagproseso upang matugunan ang mga pangangailangan ng customer.Currently,4-pulgadaat6-pulgadaMagagamit ang mga produkto, at8-pulgadaAng mga produkto ay nasa ilalim ng pag -unlad. 

Semi-insulating SIC substrate pangunahing mga pagtutukoy ng produkto:

Semi-insulating SIC substrate crystal kalidad na pagtutukoy:

4H semi insulating type sic substrate detection paraan at terminology: