4 ° off axis p-type sic wafer

Bilang isang propesyonal na tagagawa ng semiconductor sa China, VeTek Semiconductor 4°off axis p-typeSic waferay tumutukoy sa 4H silicon carbide (SiC) na mga wafer na lumilihis ng 4° mula sa pangunahing kristal na direksyon ng kristal (karaniwan ay ang c-axis) kapag pinuputol at sumasailalim sa P-type na doping. Ang produktong ito ay karaniwang ginagamit sa paggawa ng mga power electronic device at radio frequency (RF) na device sa semiconductor industry chain, at may mahusay na mga bentahe ng produkto.

Sa pamamagitan ng pagputol ng off-axis, ang Vetek Semiconductor's 4 ° off axis p-type sic wafer ay maaaring epektibong mabawasan ang mga dislocations at mga depekto na nabuo sa panahon ng paglaki ng epitaxial layer, sa gayon pinapabuti ang kalidad ng wafer. Bilang karagdagan, ang 4 ° off-axis orientation ay tumutulong upang mapalago ang isang mas pantay at kakulangan na epitaxial layer, pinapabuti ang kalidad ng epitaxial layer, at sa pangkalahatan ay angkop para sa paggawa ng mga aparato na may mataas na pagganap.

Bukod dito, ang Vetek Semiconductor's 4 ° off axis p-type na mga produktong SIC wafer ay maaaring gumawa ng wafer ay may mas maraming mga carrier ng butas at bumubuo ng isang p-type semiconductor sa pamamagitan ng doping na tumanggap ng mga impurities (tulad ng aluminyo o boron). Ang mga p-type na 4H-SiC wafers ay madalas na ginagamit sa paggawa ng mga aparato ng kuryente na nangangailangan ng isang layer na P-type. Ang ganitong uri ng semiconductor ay may mahusay na mga de -koryenteng katangian.

Kung ikukumpara sa iba pang mga polymorph tulad ng 6H-SiC,4h-SiCay may mas mataas na kadaliang kumilos ng elektron at pagkasira ng lakas ng patlang ng kuryente, at angkop para sa mga senaryo na may mataas na dalas at mataas na kapangyarihan. Bilang karagdagan, ang 4H-SiC na materyales ay may mahusay na mataas na boltahe at mataas na temperatura na pagtutol, at maaaring gumana nang normal sa malupit na mga kapaligiran.

2inch 4inch 4 ° off axis p-type sic wafer na may kaugnayan sa laki：

6 pulgada 4 ° off axis p-type sic wafer na may kaugnayan sa mga pamantayan na may kaugnayan sa laki：

4°off axis p-type na SiC Wafer Detection na mga pamamaraan at terminolohiya：

Ang Vetek Semiconductor ay mayroon nang 4 ° off axis p-type 4H-SiC substrates mula 2 ~ 6 pulgada.Ang substrate ay doped na may aluminyo at lumilitaw na asul. Ang resistivity ay mula 0.1 hanggang 0.7Ω•cm. 

Kung mayroon kang mga kinakailangan sa produkto para sa 4 ° off axis p-type sic wafer, maligayang pagdating upang kumunsulta sa amin.