Gan Epitaxy Undertaker

Ang GaN Epitaxy ay isang advanced na teknolohiya ng pagmamanupaktura ng semiconductor na ginamit upang makabuo ng mga aparato na may mataas na pagganap at optoelectronic. Ayon sa iba't ibang mga materyales sa substrate,Gan epitaxial wafersMaaaring nahahati sa GaN na nakabase sa GaN, GaN na nakabase sa SIC, Gan na nakabase sa Sapphire atGan-on-Si.

       Pinasimple na eskematiko ng proseso ng MOCVD upang makabuo ng GaN epitaxy

Sa paggawa ng GaN epitaxy, ang substrate ay hindi maaaring mailagay sa isang lugar para sa pag -aalis ng epitaxial, sapagkat nagsasangkot ito ng iba't ibang mga kadahilanan tulad ng direksyon ng daloy ng gas, temperatura, presyon, pag -aayos, at pagbagsak ng mga kontaminado. Samakatuwid, kinakailangan ang isang base, at pagkatapos ay ang substrate ay nakalagay sa disk, at pagkatapos ay ang pag -aalis ng epitaxial ay isinasagawa sa substrate gamit ang teknolohiyang CVD. Ang base na ito ay ang GaN epitaxy susceptor.

Ang lattice mismatch sa pagitan ng SIC at GaN ay maliit dahil ang thermal conductivity ng SIC ay mas mataas kaysa sa GaN, SI at Sapphire. Samakatuwid, anuman ang substrate gan na epitaxial wafer, ang GaN epitaxy susceptor na may SIC coating ay maaaring makabuluhang mapabuti ang mga thermal na katangian ng aparato at bawasan ang temperatura ng kantong ng aparato.

Lattice mismatch at thermal mismatch na relasyon ng mga materyales

Ang GaN Epitaxy Sinceptor na ginawa ni Vetek Semiconductor ay may mga sumusunod na katangian:

Materyal: Ang Surceptor ay gawa sa high-purity grapayt at isang sic coating, na nagbibigay-daan upang mapaglabanan ang mataas na temperatura at magbigay ng mahusay na katatagan sa panahon ng epitaxial manufacturing.Vetek Semiconductor's Simceptor ay maaaring makamit ang isang kadalisayan ng 99.9999% at nilalaman ng kadalisayan na mas mababa sa 5PPM.

Thermal conductivity: Ang mahusay na pagganap ng thermal ay nagbibigay -daan sa tumpak na kontrol sa temperatura, at ang mahusay na thermal conductivity ng GaN epitaxy susceptor ay nagsisiguro ng pantay na pag -aalis ng GaN epitaxy.

Katatagan ng kemikal: Pinipigilan ng patong ng SIC ang kontaminasyon at kaagnasan, kaya ang GaN epitaxy susceptor ay maaaring makatiis sa malupit na kemikal na kapaligiran ng sistema ng MOCVD at matiyak ang normal na paggawa ng gan epitaxy.

Disenyo: Ang disenyo ng istruktura ay isinasagawa ayon sa mga pangangailangan ng customer, tulad ng hugis-bariles o hugis-pancake na mga kasuotan. Ang iba't ibang mga istraktura ay na -optimize para sa iba't ibang mga teknolohiya ng paglago ng epitaxial upang matiyak ang mas mahusay na ani ng wafer at pagkakapareho ng layer.

Anuman ang iyong Needr, ang Vetek Semiconductor ay maaaring magbigay sa iyo ng pinakamahusay na mga produkto at solusyon. Inaasahan ang iyong konsultasyon sa anumang oras.

Pangunahing pisikal na katangian ngCVD sic coating:

Boot SemiconductorGan Epitaxy Susceptor Shops: