TAC Coated Graphite Guide Ring

Ang TAC (Tantalum Carbide) na pinahiran na gabay ng grapayt ay isang kritikal na sangkap na ginagamit sa pagmamanupaktura ng semiconductor, partikular sa mga proseso tulad ng epitaxial deposition at plasma etching. Ang mga singsing na ito ay idinisenyo upang ligtas na hawakan at posisyon ng mga wafer ng silikon, tinitiyak ang tumpak na pagkakahanay at katatagan sa panahon ng mataas na temperatura at malupit na mga kemikal na kapaligiran. Ang aming mga gabay na singsing ay inhinyero upang matugunan ang mahigpit na hinihingi ng modernong semiconductor na katha, na tumutulong upang mapagbuti ang mga ani ng proseso at kalidad ng wafer.

Komposisyon ng materyal at mga pisikal na katangian

Ang core ng aming TAC Coated Graphite Guide Ring ay isang mataas na singsing na grapayt, na kung saan ay pinahiran ng isang layer ng Tantalum Carbide (TAC).

Graphite substrate:

Nagbibigay ang grapayt ng maraming pangunahing pakinabang. Ito ay may mahusay na thermal katatagan, paglaban sa pagpapapangit sa mataas na temperatura na karaniwang sa pagproseso ng semiconductor. Ang magaan na kalikasan nito ay nagpapaliit ng thermal mass, na nagbibigay -daan sa mabilis na pag -init at paglamig na mga siklo. Pinipigilan din ng high-purity grapayt ang kontaminasyon ng proseso ng silid.

CVD TAC Coating:

Ang tantalum carbide coating ay ang susi sa mahusay na pagganap ng singsing. Ang TAC ay isang napakahirap na materyal na ceramic, na nag -aalok ng pambihirang paglaban sa pagsusuot at pagkawalang -kilos ng kemikal. Pinoprotektahan nito ang pinagbabatayan na grapayt mula sa agresibong plasma at kinakaing unti -unting mga gas, na makabuluhang nagpapalawak ng buhay ng singsing. Pinipigilan din ng patong na ito ang mga particle mula sa pagpapadanak, na mahalaga para sa pagpapanatili ng isang malinis na proseso ng kapaligiran at maiwasan ang mga depekto sa ibabaw ng wafer.

Ang papel ng mga singsing ng gabay sa pagproseso ng wafer

Ang aming TAC Coated Guide Ring ay gumaganap ng isang mahalagang papel sa pagtiyak ng kalidad at kahusayan ng semiconductor na katha.

● Pag -align ng wafer at katatagan: Sa panahon ng pag -unlad ng epitaxial o etching, ang gabay na singsing ay humahawak ng wafer sa isang tumpak na posisyon. Pinipigilan nito ang wafer mula sa paglilipat, na mahalaga para sa pantay na pag -aalis ng layer at tumpak na paglipat ng pattern sa buong ibabaw ng wafer.

● Pamamahala ng thermal: Ang mga thermal na katangian ng grapayt at tantalum carbide coating ay nagbibigay -daan sa mahusay na pamamahagi ng init at pamamahala. Ito ay kritikal para sa pagpapanatili ng isang pantay na profile ng temperatura sa buong wafer, na kinakailangan para sa pare -pareho ang kapal ng pelikula at mga materyal na katangian.

● Kontrol sa kontaminasyon: Ang mga materyales na may mataas na kadalisayan at ang matibay na patong ng TAC ay nagpapaliit ng henerasyon ng butil at outgassing. Binabawasan nito ang panganib ng kontaminasyon at mga depekto ng wafer, na humahantong sa mas mataas na ani ng aparato at pagiging maaasahan.

● Pinalawak na bahagi ng habang -buhay: Ang matatag na tantalum carbide coating ay nagbibigay ng mahusay na pagtutol sa pagguho ng plasma at pag -atake ng kemikal. Pinalawak nito ang buhay ng pagpapatakbo ng singsing ng gabay, binabawasan ang downtime ng pagpapanatili at pagbaba ng kabuuang halaga ng pagmamay -ari.