Balita sa industriya

Ang artikulong ito ay pangunahing nagpapakilala sa mga uri ng produkto, mga katangian ng produkto at pangunahing pag -andar ng MOCVD na Susceptor sa pagproseso ng semiconductor, at gumagawa ng isang komprehensibong pagsusuri at interpretasyon ng mga produktong MOCVD na nasusukat sa kabuuan.

Ang SiC coated graphite susceptor para sa ASM ay hindi lamang isang kapalit na bahagi sa loob ng isang epitaxy system. Ito ay isang carrier na kritikal sa proseso na nakakaimpluwensya sa pagkakapareho ng thermal, kalinisan ng wafer, tibay ng coating, katatagan ng silid, at pangmatagalang gastos sa produksyon.

Ang CVD TaC Coating Cover ay hindi lamang isang protective lid o coated graphite component. Sa mga proseso ng high-temperature na semiconductor, maaari itong maka-impluwensya sa kalinisan ng silid, thermal stability, part lifetime, at pagkakapare-pareho ng proseso.

Sa produksyon ng PECVD, maraming problema sa coating at deposition ang hindi nagsisimula sa plasma power o gas chemistry. Nagsisimula sila sa carrier na may hawak ng mga wafer.

Ang pagpili ng tamang Semiconductor Quartz Crucible ay hindi maliit na detalye ng pagbili. Direktang nakakaapekto ito sa pagkatunaw ng kalinisan, thermal stability, crystal pulling consistency, yield control, at ang ritmo ng serbisyo ng buong linya ng paglago.

Ang high purity graphite powder ay naging isang kritikal na materyal sa paggawa ng semiconductor, photovoltaic production, advanced ceramics, at high-temperature na mga prosesong pang-industriya. Ngunit ano ang eksaktong tumutukoy sa mataas na kadalisayan ng graphite powder, at bakit ito ay higit na gumaganap ng mga karaniwang materyales na grapayt sa mga hinihingi na kapaligiran?