Teknolohiya ng MOCVD

Ang VeTek Semiconductor ay may kalamangan at karanasan sa mga ekstrang bahagi ng MOCVD Technology.

MOCVD, ang buong pangalan ng Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (metal-organic Chemical Vapor Deposition), ay maaari ding tawaging metal-organic vapor phase epitaxy. Ang Organometallic Compound ay isang klase ng mga compound na may metal-carbon bond. Ang mga compound na ito ay naglalaman ng hindi bababa sa isang kemikal na bono sa pagitan ng isang metal at isang carbon atom. Ang mga metal-organic na compound ay kadalasang ginagamit bilang mga precursor at maaaring bumuo ng mga manipis na pelikula o nanostructure sa substrate sa pamamagitan ng iba't ibang mga diskarte sa pag-deposition.

Ang metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD technology) ay isang pangkaraniwang epitaxial growth technology, ang MOCVD na teknolohiya ay malawakang ginagamit sa paggawa ng mga semiconductor laser at led. Lalo na kapag ang pagmamanupaktura ng mga led, ang MOCVD ay isang pangunahing teknolohiya para sa produksyon ng gallium nitride (GaN) at mga kaugnay na materyales.

Mayroong dalawang pangunahing anyo ng Epitaxy: Liquid Phase Epitaxy (LPE) at Vapor Phase Epitaxy (VPE). Ang gas phase epitaxy ay maaaring nahahati pa sa metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) at molecular beam epitaxy (MBE).

Ang mga tagagawa ng dayuhang kagamitan ay pangunahing kinakatawan ng Aixtron at Veeco. Ang MOCVD system ay isa sa mga pangunahing kagamitan para sa pagmamanupaktura ng mga laser, led, photoelectric component, power, RF device at solar cell.

Mga pangunahing tampok ng teknolohiya ng MOCVD na mga ekstrang bahagi na ginawa ng aming kumpanya:

1) Mataas na density at buong encapsulation: ang graphite base sa kabuuan ay nasa isang mataas na temperatura at kinakaing unti-unti na kapaligiran sa pagtatrabaho, ang ibabaw ay dapat na ganap na nakabalot, at ang patong ay dapat na may mahusay na densification upang maglaro ng isang mahusay na proteksiyon na papel.

2) Magandang surface flatness: Dahil ang graphite base na ginagamit para sa solong paglaki ng kristal ay nangangailangan ng napakataas na surface flatness, ang orihinal na flatness ng base ay dapat mapanatili pagkatapos maihanda ang coating, iyon ay, ang coating layer ay dapat na pare-pareho.

3) Magandang lakas ng pagbubuklod: Bawasan ang pagkakaiba sa koepisyent ng thermal expansion sa pagitan ng graphite base at ng coating material, na maaaring epektibong mapabuti ang lakas ng bonding sa pagitan ng dalawa, at ang coating ay hindi madaling ma-crack pagkatapos makaranas ng mataas at mababang temperatura ng init ikot.

4) Mataas na thermal conductivity: ang mataas na kalidad na paglaki ng chip ay nangangailangan ng graphite base upang magbigay ng mabilis at pare-parehong init, kaya ang materyal na patong ay dapat magkaroon ng mataas na thermal conductivity.

5) Mataas na punto ng pagkatunaw, mataas na temperatura na paglaban sa oksihenasyon, paglaban sa kaagnasan: ang patong ay dapat na gumana nang matatag sa mataas na temperatura at kinakaing unti-unti na kapaligiran sa pagtatrabaho.

Maglagay ng 4 na pulgadang substrate
Blue-green epitaxy para sa lumalaking LED
Nakatira sa reaction chamber
Direktang kontak sa ostiya Maglagay ng 4 na pulgadang substrate
Ginamit upang palaguin ang UV LED epitaxial film
Nakatira sa reaction chamber
Direktang kontak sa ostiya Veeco K868/Veeco K700 Machine
White LED epitaxy/Asul-berde na LED epitaxy Ginamit sa VEECO Equipment
Para sa MOCVD Epitaxy
SiC Coating Susceptor Kagamitang Aixtron TS
Malalim na Ultraviolet Epitaxy
2-pulgada na substrate Kagamitang Veeco
Pula-Dilaw na LED Epitaxy
4-pulgada na Wafer Substrate TaC Coated Susceptor
(SiC Epi/ UV LED Receiver) SiC Coated Susceptor
(ALD/ Si Epi/ LED MOCVD Susceptor)