Balita

Para sa pang-industriya-scale na produksyon ng mga silicon carbide substrates, ang tagumpay ng isang solong pag-unlad ay hindi ang layunin ng pagtatapos. Ang tunay na hamon ay nakasalalay sa pagtiyak na ang mga kristal na lumago sa iba't ibang batch, tool, at yugto ng panahon ay nagpapanatili ng mataas na antas ng pagkakapare-pareho at pag-uulit sa kalidad. Sa kontekstong ito, ang papel ng tantalum carbide (TaC) coating ay higit pa sa pangunahing proteksyon—ito ay nagiging isang pangunahing salik sa pagpapatatag ng window ng proseso at pag-iingat sa ani ng produkto.

​Silicon carbide (SiC) Ang paglago ng PVT ay nagsasangkot ng matinding thermal cycling (temperatura ng silid na higit sa 2200 ℃). Ang napakalaking thermal stress na nabuo sa pagitan ng coating at ng graphite substrate dahil sa mismatch sa coefficients ng thermal expansion (CTE) ay ang pangunahing hamon sa pagtukoy sa buhay ng coating at pagiging maaasahan ng aplikasyon.

Sa proseso ng paglago ng kristal ng PVT na silicon carbide (SiC), ang katatagan at pagkakapareho ng thermal field ay direktang tinutukoy ang rate ng paglago ng kristal, density ng depekto, at pagkakapareho ng materyal. Bilang hangganan ng system, ang mga bahagi ng thermal-field ay nagpapakita ng mga katangiang thermophysical sa ibabaw na ang bahagyang pagbabagu-bago ay kapansin-pansing pinalalakas sa ilalim ng mga kondisyon ng mataas na temperatura, na humahantong sa kawalang-tatag sa interface ng paglago.