Glassy Carbon Crucible

1. Mga Katangian ng Materyales: Hindi Graphitized Glassy Carbon, ang pagganap ay higit sa tradisyonal na mga materyales sa lahat ng aspeto

Ang Veteksemicon's Glassy Carbon Crucible ay nagpatibay ng advanced na high-temperatura na teknolohiyang sintering na teknolohiya, at ang polymer precursor ay naproseso sa 3000 ° C sa isang inert gas na kapaligiran. Mayroon itong parehong density ng baso at ang mataas na temperatura na pagtutol ng mga keramika.Kasama sa pangunahing bentahe:

✔ Ultra-mataas na kadalisayan: Ang nilalaman ng karumihan ay mas mababa sa 2ppm (tulad ng mga impurities ng metal tulad ng aluminyo at bakal), na nakakatugon sa mga pangangailangan ng mga materyales na grade-semiconductor.

✔ Matinding paglaban sa temperatura: Maaari itong magamit nang matatag hanggang sa 3000 ° C sa vacuum o inert gas, at ang pagtaas ng lakas sa pagtaas ng temperatura (ang lakas sa 2400 ° C ay dalawang beses sa normal na temperatura).

✔ Zero porosity at anti-permeability: Walang bukas na mga pores, at ang koepisyenteng permeability ng gas ay mas mababa sa 10⁻⁹ cm²/s, na maiiwasan ang oksihenasyon o kontaminasyon ng tinunaw na metal.

✔ Napakahusay na elektrikal at thermal conductivity: thermal conductivity 6.3 w/(m · k), resistivity 45μω · m, na angkop para sa proseso ng pagpainit ng high-frequency induction.

✔ Paglaban sa kaagnasan ng kemikal: lumalaban sa malakas na acid, malakas na alkali at tinunaw na kaagnasan ng asin, walang pagpapadanak ng butil, tinitiyak ang kalinisan ng paggawa ng semiconductor.

2. Core application scenarios in semiconductor processing

Ang Glassy Carbon Crucible na mga produkto ng Veteksemicon ay sumasakop sa mga pangunahing link ng buong proseso sa pagmamanupaktura ng semiconductor, sa pangkalahatan kasama ang:

1) Single Crystal Silicon Growth:

Ang insulating coating na ginamit para sa hurno ng paglago ng kristal ng SIC, pagpapabuti ng katatagan ng thermal field at pagbabawas ng pagkonsumo ng enerhiya sa pamamagitan ng 20%.

Ang mga mataas na katangian ng kadalisayan ay maiwasan ang kontaminasyon ng silikon at bawasan ang mga depekto sa sala -sala.

2) proseso ng pagtatanim ng ion at etching:

Bilang isang electrode at gas diffuser para sa plasma etching system, tinitiyak nito ang pantay na paglabas at pagkakapare -pareho ng proseso.

Ang mga katangian ng bomba ng anti-ion ay nagpapalawak ng buhay ng kagamitan.

3) Metallization at alloy smelting:

Ang mga perpektong lalagyan para sa tinunaw na ginto, palladium at titanium alloys, ang hindi wetting na ibabaw ay binabawasan ang pagkawala ng materyal.

Angkop para sa paglilinis at paghubog ng lubos na aktibong bihirang mga metal (tulad ng gallium at indium).

Babala: Ang mga glass carbon crucibles ay hindi maaaring magamit upang matunaw ang mga haluang metal na chromium-cobalt-molybdenum. Katulad nito, hindi sila maaaring magamit upang matunaw ang anumang madaling karbida, tulad ng silikon o tungsten.

4) Advanced na packaging at pagsubok:

Bilang isang wafer transfer carrier (dummy wafer) at heat reflector, tinitiyak nito ang katatagan ng mga proseso ng mataas na temperatura.

3. Lakas ng Produksyon ng Enterprise: Malaking-scale Manufacturing at Technological Innovation

Bilang nangungunang tagapagtustos ng China ng mga raw na materyal na carbon, ang Veteksemicon ay may mga sumusunod na pangunahing pakinabang:

✔ Buong-proseso na independiyenteng produksiyon

Mula sa hilaw na materyal na polymerization hanggang sa high-temperatura na sintering, ang buong proseso ay makokontrol upang matiyak ang pagkakapare-pareho ng batch.

Ang kapasidad ng paggawa ng masa ay sumasaklaw sa 5μm-level na ultra-manipis na coatings sa mga malalaking crucibles (tulad ng diameter 132mm, taas 273mm na mga pagtutukoy).

✔ Mga Customized na Kakayahang Pagproseso

Sinusuportahan ang pagpapasadya ng laki ng hindi pamantayan (tulad ng mga espesyal na hugis na crucibles, tubes, pelikula), na may katumpakan ng pagpapaubaya ng ± 0.2mm.

✔ Technology R&D reserves

Makipagtulungan sa mga institusyong pang -agham na pananaliksik ng Chinese Academy of Sciences upang mabuo ang nano glassy carbon (lakas hanggang sa 3GPA) at palawakin ang aplikasyon ng miniaturized semiconductor na kagamitan.

Maglagay ng mga umuusbong na patlang tulad ng mga plato ng fuel cell bipolar at mga nozzle ng aerospace tail upang maitaguyod ang pagbabago ng cross-border ng mga materyales.